WSD30300DN56G N-sianel 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSD30300DN56G N-sianel 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhan Rhif:WSD30300DN56G

BVDSS:30V

ID:300A

RDSON:0.7mΩ 

Sianel:N-sianel

Pecyn:DFN5X6-8


Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Trosolwg o gynnyrch WINSOK MOSFET

Mae foltedd WSD20100DN56 MOSFET yn 20V, y presennol yw 90A, y gwrthiant yw 1.6mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw DFN5X6-8.

Ardaloedd cais WINSOK MOSFET

Sigarennau electronig MOSFET, dronau MOSFET, offer trydanol MOSFET, gynnau ffasgia MOSFET, PD MOSFET, MOSFET offer cartref bach.

Mae WINSOK MOSFET yn cyfateb i rifau deunydd brand eraill

AOS MOSFET AON6572.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.

Paramedrau MOSFET

Symbol

Paramedr

Graddio

Unedau

VDS

Foltedd Draen-Ffynhonnell

20

V

VGS

Foltedd Gate-Ffynhonnell

±12

V

ID@TC=25 ℃

Draenio Parhaus Cyfredol1

90

A

ID@TC= 100 ℃

Draenio Parhaus Cyfredol1

48

A

IDM

Cyfredol Draen Pyls2

270

A

EAS

Egni Avalanche Pwls Sengl3

80

mJ

IAS

Avalanche Cyfredol

40

A

PD@TC=25 ℃

Cyfanswm Pŵer Gwasgariad4

83

W

TSTG

Amrediad Tymheredd Storio

-55 i 150

TJ

Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol

-55 i 150

RθJA

Cyffordd Gwrthiant Thermol-amgylchynol1(t10S)

20

/W

RθJA

Cyffordd Gwrthiant Thermol-amgylchynol1(Cyflwr Sefydlog)

55

/W

RθJC

Gwrthiant Thermol Cyffordd-achos1

1.5

/W

 

Symbol

Paramedr

Amodau

Minnau

Teip

Max

Uned

BVDSS

Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell VGS=0V , ID=250uA

20

23

---

V

VGS(th)

Foltedd Trothwy Gate VGS=VDS , ID =250uA

0.5

0.68

1.0

V

RDS(YMLAEN)

Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=10V, ID=20A

---

1.6

2.0

RDS(YMLAEN)

Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=4.5V , ID=20A  

1.9

2.5

RDS(YMLAEN)

Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=2.5V , ID=20A

---

2.8

3.8

IDSS

Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol VDS=16V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=16V , VGS=0V , TJ=125

---

---

5

IGSS

Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol VGS=±10V, VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

Gwrthiant Gate VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

Cyfanswm Tâl Giât (10V) VDS=15V, VGS=10V, ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

Tâl Gate-Ffynhonnell

---

8.7

---

Qgd

Tâl Gate-Drain

---

14

---

Td(ymlaen)

Amser Oedi Troi Ymlaen VDD=15V , VGS=10V , RG=3 ,

ID=20A

---

10.2

---

ns

Tr

Amser Codi

---

11.7

---

Td (diffodd)

Amser Oedi Diffodd

---

56.4

---

Tf

Amser Cwymp

---

16.2

---

Ciss

Cynhwysedd Mewnbwn VDS=10V, VGS=0V , f=1MHz

---

4307

---

pF

Coss

Cynhwysedd Allbwn

---

501

---

Crss

Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro

---

321

---

IS

Ffynhonnell Barhaus Cyfredol1,5 VG=VD=0V , Cyfredol Grym

---

---

50

A

VSD

Foltedd Ymlaen Deuod2 VGS=0V , IS=1A , TJ=25

---

---

1.2

V

trr

Amser Adferiad Gwrthdroi IF=20A , di/dt=100A/µs ,

TJ=25

---

22

---

nS

Qrr

Tâl Adfer Gwrthdro

---

72

---

nC


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom