WSD40120DN56 N-sianel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSD40120DN56 N-sianel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhan Rhif:WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1.85mΩ 

Sianel:N-sianel

Pecyn:DFN5X6-8


Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Trosolwg o gynnyrch WINSOK MOSFET

Mae foltedd WSD40120DN56 MOSFET yn 40V, y presennol yw 120A, y gwrthiant yw 1.85mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw DFN5X6-8.

Ardaloedd cais WINSOK MOSFET

E-sigaréts MOSFET, MOSFET gwefru diwifr, MOSFET dronau, MOSFET gofal meddygol, gwefrwyr ceir MOSFET, rheolwyr MOSFET, cynhyrchion digidol MOSFET, MOSFET offer cartref bach, MOSFET electroneg defnyddwyr.

Mae WINSOK MOSFET yn cyfateb i rifau deunydd brand eraill

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFETPHSFTJR1 Q544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Paramedrau MOSFET

Symbol

Paramedr

Graddio

Unedau

VDS

Foltedd Draen-Ffynhonnell

40

V

VGS

Gate-Source Foltedd

±20

V

ID@TC=25

Cyfredol Draen Barhaus, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

Cyfredol Draen Barhaus, VGS@ 10V1,7

100

A

IDM

Cyfredol Draen Pyls2

400

A

EAS

Egni Avalanche Pwls Sengl3

240

mJ

IAS

Avalanche Cyfredol

31

A

PD@TC=25

Cyfanswm Pŵer Gwasgariad4

104

W

TSTG

Amrediad Tymheredd Storio

-55 i 150

TJ

Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol

-55 i 150

 

Symbol

Paramedr

Amodau

Minnau.

Teip.

Max.

Uned

BVDSS

Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell VGS=0V , ffD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCyfernod Tymheredd Cyfeiriad at 25, ID=1mA

---

0. 043

---

V/

RDS(YMLAEN)

Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=10V, ffD=30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS(YMLAEN)

Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=4.5V , ffD=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Foltedd Trothwy Gate VGS=VDS, ID=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Cyfernod Tymheredd

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol VDS=32V, VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Trawsgludiad Ymlaen VDS=5V , ffD=20A

---

55

---

S

Rg

Gwrthiant Gate VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Cyfanswm Tâl Giât (10V) VDS=20V, VGS=10V , ffD=10A

---

76

91

nC

Qgs

Tâl Gate-Ffynhonnell

---

12

14.4

Qgd

Tâl Gate-Drain

---

15.5

18.6

Td(ymlaen)

Amser Oedi Troi Ymlaen VDD=30V, VGEN=10V , RG=1Ω, ID=1A ,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Amser Codi

---

10

12

Td (diffodd)

Amser Oedi Diffodd

---

58

69

Tf

Amser Cwymp

---

34

40

Ciss

Cynhwysedd Mewnbwn VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Cynhwysedd Allbwn

---

690

---

Crss

Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro

---

370

---


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom