WSD45N10GDN56 N-sianel 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSD45N10GDN56 N-sianel 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhan Rhif:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

ID:45A

RDSON:14.5mΩ

Sianel:N-sianel

Pecyn:DFN5X6-8


Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Trosolwg o gynnyrch WINSOK MOSFET

Mae foltedd WSD45N10GDN56 MOSFET yn 100V, y presennol yw 45A, y gwrthiant yw 14.5mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw DFN5X6-8.

Ardaloedd cais WINSOK MOSFET

E-sigaréts MOSFET, MOSFET gwefru di-wifr, MOSFET moduron, MOSFET dronau, MOSFET gofal meddygol, gwefrwyr ceir MOSFET, rheolwyr MOSFET, cynhyrchion digidol MOSFET, offer cartref bach MOSFET, electroneg defnyddwyr MOSFET.

Mae WINSOK MOSFET yn cyfateb i rifau deunydd brand eraill

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AHNE6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.

Paramedrau MOSFET

Symbol

Paramedr

Graddio

Unedau

VDS

Foltedd Draen-Ffynhonnell

100

V

VGS

Gate-Source Foltedd

±20

V

ID@TC=25

Cyfredol Draen Barhaus, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Cyfredol Draen Barhaus, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Cyfredol Draen Barhaus, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Cyfredol Draen Barhaus, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Cyfredol Draen Pyls

130

A

EASb

Egni Avalanche Pwls Sengl

169

mJ

IASb

Avalanche Cyfredol

26

A

PD@TC=25

Cyfanswm Pŵer Gwasgariad

95

W

PD@TA=25

Cyfanswm Pŵer Gwasgariad

5.0

W

TSTG

Amrediad Tymheredd Storio

-55 i 150

TJ

Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol

-55 i 150

 

Symbol

Paramedr

Amodau

Minnau.

Teip.

Max.

Uned

BVDSS

Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell VGS=0V , ffD=250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Cyfernod Tymheredd BVDSS Cyfeiriad at 25, ID=1mA

---

0.0

---

V/

RDS(YMLAEN)d

Ar-wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=10V , ffD=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Foltedd Trothwy Gate VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Cyfernod Tymheredd

---

-5   mV/

IDSS

Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol VDS=80V, VGS=0V , TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V, VGS=0V , TJ=55

---

- 30

IGSS

Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Gwrthiant Gate VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Cyfanswm Tâl Giât (10V) VDS=50V, VGS=10V , ffD=26A

---

42

59

nC

Qgse

Tâl Gate-Ffynhonnell

---

12

--

Qgde

Tâl Gate-Drain

---

12

---

Td(ymlaen)e

Amser Oedi Troi Ymlaen VDD=30V, VGEN=10V , RG=6Ω

ID=1A ,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Amser Codi

---

9

17

Td (diffodd)e

Amser Oedi Diffodd

---

36

65

Tfe

Amser Cwymp

---

22

40

Cisse

Cynhwysedd Mewnbwn VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz

---

1800. llarieidd-dra eg

---

pF

Cosse

Cynhwysedd Allbwn

---

215

---

Crsse

Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro

---

42

---


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom