WSD6040DN56 N-sianel 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSD6040DN56 N-sianel 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhan Rhif:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14mΩ 

Sianel:N-sianel

Pecyn:DFN5X6-8


Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Trosolwg o gynnyrch WINSOK MOSFET

Mae foltedd WSD6040DN56 MOSFET yn 60V, y presennol yw 36A, y gwrthiant yw 14mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw DFN5X6-8.

Ardaloedd cais WINSOK MOSFET

E-sigaréts MOSFET, MOSFET gwefru di-wifr, MOSFET moduron, MOSFET dronau, MOSFET gofal meddygol, gwefrwyr ceir MOSFET, rheolwyr MOSFET, cynhyrchion digidol MOSFET, offer cartref bach MOSFET, electroneg defnyddwyr MOSFET.

Mae WINSOK MOSFET yn cyfateb i rifau deunydd brand eraill

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.

Paramedrau MOSFET

Symbol

Paramedr

Graddio

Unedau

VDS

Foltedd Draen-Ffynhonnell

60

V

VGS

Foltedd Gate-Ffynhonnell

±20

V

ID

Draenio Parhaus Cyfredol TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Draenio Parhaus Cyfredol TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Cyfredol Draen Pyls TC=25°C

140

A

PD

Uchafswm Gwasgariad Pŵer TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Uchafswm Gwasgariad Pŵer TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Avalanche Cyfredol, curiad unigol

L=0.5mH

16

A

EASc

Egni Avalanche Pwls Sengl

L=0.5mH

64

mJ

IS

Deuod Ymlaen Parhaus Cyfredol

TC=25°C

18

A

TJ

Tymheredd Cyffordd Uchaf

150

TSTG

Amrediad Tymheredd Storio

-55 i 150

RθJAb

Cyffordd Gwrthiant Thermol i'r amgylchynol

Cyflwr Sefydlog

60

/W

RθJC

Ymwrthedd Thermol-Cyffordd i Achos

Cyflwr Sefydlog

3.3

/W

 

Symbol

Paramedr

Amodau

Minnau.

Teip.

Max.

Uned

Statig        

V(BR)DSS

Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Draen Foltedd Sero Giât Cyfredol

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Gât Gollyngiad Cyfredol

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Ar Nodweddion        

VGS(TH)

Foltedd Trothwy Gate

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS(ymlaen)d

Drain-Ffynhonnell Gwrthsefyll Ar-wladwriaeth

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V, ID = 20A

  19

22

Newid        

Qg

Cyfanswm Tâl Giât

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Tâl Gate-Sour  

6.4

 

nC

Qgd

Tâl Gate-Drain  

9.6

 

nC

td (ymlaen)

Amser Oedi Troi Ymlaen

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Amser Codi Troi ymlaen  

9

 

ns

td (i ffwrdd)

Amser Oedi Diffodd   58  

ns

tf

Trowch i ffwrdd Amser Cwymp   14  

ns

Rg

Gwrthiant gat

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dynamig        

Ciss

Mewn Gallu

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Allan Capacitance   140  

pF

Crss

Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro   100  

pF

Nodweddion Deuod Ffynhonnell Draen a Graddfeydd Uchaf        

IS

Ffynhonnell Barhaus Cyfredol

VG=VD=0V , Cyfredol Grym

   

18

A

ISM

Ffynhonnell pwls Cyfredol3    

35

A

VSDd

Foltedd Ymlaen Deuod

ISD = 20A , VGS = 0V

 

0.8

1.3

V

trr

Amser Adferiad Gwrthdroi

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Tâl Adfer Gwrthdro   33  

nC


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom