WSD6060DN56 N-sianel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhan Rhif:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7.5mΩ

Sianel:N-sianel

Pecyn:DFN5X6-8

Anfonwch e-bost atom PDF

Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Trosolwg o gynnyrch WINSOK MOSFET

Mae foltedd WSD6060DN56 MOSFET yn 60V, y presennol yw 65A, y gwrthiant yw 7.5mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw DFN5X6-8.

Ardaloedd cais WINSOK MOSFET

E-sigaréts MOSFET, MOSFET gwefru di-wifr, MOSFET moduron, MOSFET dronau, MOSFET gofal meddygol, gwefrwyr ceir MOSFET, rheolwyr MOSFET, cynhyrchion digidol MOSFET, offer cartref bach MOSFET, electroneg defnyddwyr MOSFET.

Mae WINSOK MOSFET yn cyfateb i rifau deunydd brand eraill

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

Paramedrau MOSFET

Symbol	Paramedr		Graddio	Uned
Graddfeydd Cyffredin
VDSS	Foltedd Draen-Ffynhonnell		60	V
VGSS	Foltedd Gate-Ffynhonnell		±20	V
T_J	Tymheredd Cyffordd Uchaf		150	°C
TSTG	Amrediad Tymheredd Storio		-55 i 150	°C
I_S	Deuod Ymlaen Parhaus Cyfredol	T_c=25°C	30	A
ID	Draenio Parhaus Cyfredol	T_c=25°C	65	A
ID	Draenio Parhaus Cyfredol	T_c=70°C	42	A
I DM b	Draen Curiad Cyfredol Wedi'i Brofi	T_c=25°C	250	A
P_D	Uchafswm Gwasgariad Pŵer	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Uchafswm Gwasgariad Pŵer	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Ymwrthedd Thermol - Cyffordd i Arwain	Cyflwr Sefydlog	2.1	°C/W
RqJA	Ymwrthedd Thermol - Cyffordd i'r Awyrgylch	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Ymwrthedd Thermol - Cyffordd i'r Awyrgylch	Cyflwr Sefydlog^b	50	°C/W
I UG^d	Avalanche Cyfredol, curiad unigol	L=0.5mH	18	A
E AS d	Egni Avalanche, Curiad Sengl	L=0.5mH	81	mJ

Symbol	Paramedr	Amodau Prawf		Minnau.	Teip.	Max.	Uned
Nodweddion Statig
BV_DSS	Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell	V_GS=0V, ff_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Draen Foltedd Sero Giât Cyfredol	V_DS=48V, V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Draen Foltedd Sero Giât Cyfredol						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Foltedd Trothwy Gate	V_DS=V_GS, I_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Gât Gollyngiad Cyfredol	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(YMLAEN) 3	Drain-Ffynhonnell Gwrthsefyll Ar-wladwriaeth	V_GS=10V, ff_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(YMLAEN) 3	Drain-Ffynhonnell Gwrthsefyll Ar-wladwriaeth	V_GS=4.5V, ff_DS=15 A		-	10	15	m W
Nodweddion Deuod
V SD	Foltedd Ymlaen Deuod	I_SD=1A, V_GS=0V		-	0.75	1.2	V
t_rr	Amser Adferiad Gwrthdroi	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Tâl Adfer Gwrthdro	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Nodweddion Deinamig^3,4
R_G	Gwrthiant Gate	V_GS=0V,V_DS=0V, F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Cynhwysedd Mewnbwn	V_GS=0V, V_DS=30V, F=1.0MHz Ω		-	1340. llarieidd-dra eg	-	pF
C_oss	Cynhwysedd Allbwn			-	270	-
C_rss	Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro			-	40	-
td(YMLAEN)	Amser Oedi Troi Ymlaen	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Amser Codi Troi ymlaen			-	6	-
td( OFF)	Amser Oedi Diffodd			-	33	-
t_f	Trowch i ffwrdd Amser Cwymp			-	30	-
Nodweddion Tâl Giât ^3,4
Q_g	Cyfanswm Tâl Giât	V_DS=30V, V_GS=4.5V, ff_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Cyfanswm Tâl Giât	V_DS=30V, V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Tâl Porth Trothwy			-	4.1	-
Q_gs	Tâl Gate-Ffynhonnell			-	5	-
Q_gd	Tâl Gate-Drain			-	4.2	-