WSD6070DN56 N-sianel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSD6070DN56 N-sianel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhan Rhif:WSD6070DN56

BVDSS:60V

ID:80A

RDSON:7.3mΩ 

Sianel:N-sianel

Pecyn:DFN5X6-8


Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Trosolwg o gynnyrch WINSOK MOSFET

Mae foltedd WSD6070DN56 MOSFET yn 60V, y presennol yw 80A, y gwrthiant yw 7.3mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw DFN5X6-8.

Ardaloedd cais WINSOK MOSFET

E-sigaréts MOSFET, MOSFET gwefru di-wifr, MOSFET moduron, MOSFET dronau, MOSFET gofal meddygol, gwefrwyr ceir MOSFET, rheolwyr MOSFET, cynhyrchion digidol MOSFET, MOSFET offer cartref bach, MOSFET electroneg defnyddwyr.

Mae WINSOK MOSFET yn cyfateb i rifau deunydd brand eraill

POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

Paramedrau MOSFET

Symbol

Paramedr

Graddio

Unedau

VDS

Foltedd Draen-Ffynhonnell

60

V

VGS

Gate-Source Foltedd

±20

V

TJ

Tymheredd Cyffordd Uchaf

150

°C

ID

Amrediad Tymheredd Storio

-55 i 150

°C

IS

Deuod Ymlaen Parhaus Cyfredol,TC=25°C

80

A

ID

Cyfredol Draen Barhaus, VGS=10V,TC=25°C

80

A

Cyfredol Draen Barhaus, VGS=10V,TC=100°C

66

A

IDM

Cyfredol Draen Pyls ,TC=25°C

300

A

PD

Gwasgariad Pŵer Uchaf, TC=25°C

150

W

Gwasgariad Pŵer Uchaf, TC=100°C

75

W

RθJA

Ymwrthedd Thermol - Cyffordd i Amgylchynol ,t = 10s ̀

50

°C/W

Ymwrthedd Thermol-Cyffordd i Amgylchynol, Cyflwr Sefydlog

62.5

°C/W

RqJC

Ymwrthedd Thermol-Cyffordd i Achos

1

°C/W

IAS

Cerrynt Avalanche, Pwls Sengl, L=0.5mH

30

A

EAS

Egni Avalanche, pwls sengl, L = 0.5mH

225

mJ

 

Symbol

Paramedr

Amodau

Minnau.

Teip.

Max.

Uned

BVDSS

Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell VGS=0V , ffD=250uA

60

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCyfernod Tymheredd Cyfeiriad at 25, ID=1mA

---

0. 043

---

V/

RDS(YMLAEN)

Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig2 VGS=10V, ffD=40A

---

7.0

9.0

mΩ

VGS(th)

Foltedd Trothwy Gate VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Cyfernod Tymheredd

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol VDS=48V, VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Trawsgludiad Ymlaen VDS=5V , ffD=20A

---

50

---

S

Rg

Gwrthiant Gate VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Cyfanswm Tâl Giât (10V) VDS=30V, VGS=10V , ffD=40A

---

48

---

nC

Qgs

Tâl Gate-Ffynhonnell

---

17

---

Qgd

Tâl Gate-Drain

---

12

---

Td(ymlaen)

Amser Oedi Troi Ymlaen VDD=30V, VGEN=10V , RG=1Ω, ID=1A ,RL=15Ω.

---

16

---

ns

Tr

Amser Codi

---

10

---

Td (diffodd)

Amser Oedi Diffodd

---

40

---

Tf

Amser Cwymp

---

35

---

Ciss

Cynhwysedd Mewnbwn VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz

---

2680

---

pF

Coss

Cynhwysedd Allbwn

---

386

---

Crss

Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro

---

160

---


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom