WSF4022 Deuol N-Sianel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

WSF4022 N-Sianel Ddeuol 40V 20A TO-252-4L Delwedd dan Sylw WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:

Rhif Model:WSF4022

BVDSS:40V

RDSON:21mΩ

ID:20A

Sianel:N-Sianel Ddeuol

Pecyn:I-252-4L

Cynnyrch Summery:Mae foltedd WSF30150 MOSFET yn 40V, y presennol yw 20A, y gwrthiant yw 21mΩ, y sianel yw N-Channel Ddeuol, a'r pecyn yw TO-252-4L.

Ceisiadau:E-sigaréts, gwefru diwifr, moduron, cyflenwadau pŵer brys, dronau, gofal meddygol, gwefrwyr ceir, rheolwyr, cynhyrchion digidol, offer cartref bach, electroneg defnyddwyr.

Anfonwch e-bost atom PDF

Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad Cyffredinol

Y WSF4022 yw'r ffos perfformiad uchaf MOSFET N-Ch Deuol gyda dwysedd celloedd uchel iawn, sy'n darparu RDSON rhagorol a thâl giât ar gyfer y rhan fwyaf o'r cymwysiadau trawsnewidydd arian cydamserol. dibynadwyedd wedi'i gymeradwyo.

Nodweddion

Ar gyfer Fan Pre-Driver H-Bridge, Rheoli Modur, Cywiro Cydamserol, E-sigaréts, gwefru diwifr, moduron, cyflenwadau pŵer brys, dronau, gofal meddygol, gwefrwyr ceir, rheolwyr, cynhyrchion digidol, offer cartref bach, electroneg defnyddwyr.

Ceisiadau

rhif deunydd cyfatebol

AOS

Paramedrau pwysig

Symbol	Paramedr		Graddio	Unedau
VDS	Foltedd Draen-Ffynhonnell		40	V
VGS	Foltedd Gate-Ffynhonnell		±20	V
ID	Cerrynt Draenio (Parhaus) *AC	TC=25°C	20*	A
ID	Cerrynt Draenio (Parhaus) *AC	TC=100°C	20*	A
ID	Cerrynt Draenio (Parhaus) *AC	TA=25°C	12.2	A
ID	Cerrynt Draenio (Parhaus) *AC	TA=70°C	10.2	A
IDMa	Cyfredol Draen Pyls	TC=25°C	80*	A
EASb	Egni Avalanche Pwls Sengl	L=0.5mH	25	mJ
IAS b	Avalanche Cyfredol	L=0.5mH	17.8	A
PD	Uchafswm Gwasgariad Pŵer	TC=25°C	39.4	W
PD	Uchafswm Gwasgariad Pŵer	TC=100°C	19.7	W
PD	Gwasgariad Pŵer	TA=25°C	6.4	W
PD	Gwasgariad Pŵer	TA=70°C	4.2	W
TJ	Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol		175	℃
TSTG	Tymheredd Gweithredu / Tymheredd Storio		-55~175	℃
RθJA b	Cyffordd Gwrthiant Thermol-Amgylchynol	Cyflwr Sefydlog c	60	℃/W
RθJC	Cyffordd Ymwrthedd Thermol i Achos		3.8	℃/W

Symbol	Paramedr	Amodau	Minnau.	Teip.	Max.	Uned
Statig
V(BR)DSS	Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell	VGS = 0V, ID = 250μA	40			V
IDSS	Draen Foltedd Sero Giât Cyfredol	VDS = 32V, VGS = 0V			1	µA
IDSS	Draen Foltedd Sero Giât Cyfredol	VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C			30	µA
IGSS	Gât Gollyngiad Cyfredol	VGS = ±20V, VDS = 0V			±100	nA
VGS(th)	Foltedd Trothwy Gate	VGS = VDS, IDS = 250µA	1.1	1.6	2.5	V
RDS(ymlaen) d	Drain-Ffynhonnell Gwrthsefyll Ar-wladwriaeth	VGS = 10V, ID = 10A		16	21	mΩ
RDS(ymlaen) d	Drain-Ffynhonnell Gwrthsefyll Ar-wladwriaeth	VGS = 4.5V, ID = 5A		18	25	mΩ
Tâl Giât
Qg	Cyfanswm Tâl Giât	VDS=20V, VGS=4.5V, ID=10A		7.5		nC
Qgs	Tâl Gate-Ffynhonnell			3.24		nC
Qgd	Tâl Gate-Drain			2.75		nC
Deinameg
Ciss	Cynhwysedd Mewnbwn	VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz		815		pF
Coss	Cynhwysedd Allbwn			95		pF
Crss	Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro			60		pF
td (ymlaen)	Amser Oedi Troi Ymlaen	VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.		7.8		ns
tr	Amser Codi Troi ymlaen			6.9		ns
td (i ffwrdd)	Amser Oedi Diffodd			22.4		ns
tf	Trowch i ffwrdd Amser Cwymp			4.8		ns
Deuod
VSDd	Foltedd Ymlaen Deuod	ISD=1A, VGS=0V		0.75	1.1	V
trr	Cynhwysedd Mewnbwn	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		13		ns
Qrr	Cynhwysedd Allbwn	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC