WSM340N10G N-sianel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSM340N10G N-sianel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:


  • Rhif Model:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1.6mΩ
  • ID:340A
  • Sianel:N-sianel
  • Pecyn:TOLL-8L
  • Cynnyrch Summery:Mae foltedd WSM340N10G MOSFET yn 100V, y presennol yw 340A, y gwrthiant yw 1.6mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw TOLL-8L.
  • Ceisiadau:Offer meddygol, dronau, cyflenwadau pŵer PD, cyflenwadau pŵer LED, offer diwydiannol, ac ati.
  • Manylion Cynnyrch

    Cais

    Tagiau Cynnyrch

    Disgrifiad Cyffredinol

    Y WSM340N10G yw'r ffos perfformiad uchaf N-Ch MOSFET gyda dwysedd celloedd uchel iawn, sy'n darparu RDSON rhagorol a thâl giât ar gyfer y rhan fwyaf o'r cymwysiadau trawsnewidydd byc cydamserol. Mae'r WSM340N10G yn bodloni'r gofyniad RoHS a Chynnyrch Gwyrdd, EAS 100% wedi'i warantu gyda dibynadwyedd swyddogaeth lawn wedi'i gymeradwyo.

    Nodweddion

    Technoleg ffos dwysedd celloedd uchel uwch, Tâl Porth Isel Gwych, Dirywiad effaith CDV/dt Ardderchog, 100% EAS Gwarantedig, Dyfais Werdd Ar Gael.

    Ceisiadau

    Cywiro cydamserol, Trawsnewidydd DC / DC, switsh llwyth, Offer meddygol, dronau, cyflenwadau pŵer PD, cyflenwadau pŵer LED, offer diwydiannol, ac ati.

    Paramedrau pwysig

    Sgoriau Uchaf Absoliwt

    Symbol Paramedr Graddio Unedau
    VDS Foltedd Draen-Ffynhonnell 100 V
    VGS Foltedd Gate-Ffynhonnell ±20 V
    ID@TC=25℃ Draenio Parhaus Cyfredol, VGS @ 10V 340 A
    ID@TC=100 ℃ Draenio Parhaus Cyfredol, VGS @ 10V 230 A
    IDM Cyfredol Draen Pylsiedig..TC=25°C 1150. llathredd eg A
    EAS Egni Avalanche, pwls sengl, L = 0.5mH 1800. llarieidd-dra eg mJ
    IAS Cerrynt Avalanche, Pwls Sengl, L=0.5mH 120 A
    PD@TC=25℃ Cyfanswm Pŵer Gwasgariad 375 W
    PD@TC=100℃ Cyfanswm Pŵer Gwasgariad 187 W
    TSTG Amrediad Tymheredd Storio -55 i 175
    TJ Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol 175

    Nodweddion Trydanol (TJ = 25 ℃, oni nodir yn wahanol)

    Symbol Paramedr Amodau Minnau. Teip. Max. Uned
    BVDSS Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell VGS=0V , ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Cyfernod Tymheredd BVDSS Cyfeiriad at 25 ℃, ID = 1mA --- 0.096 --- V / ℃
    RDS(YMLAEN) Ar-Wrthiant Ffynhonnell Draen Statig VGS=10V, ID=50A --- 1.6 2.3
    VGS(th) Foltedd Trothwy Gate VGS=VDS , ID =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △ VGS(th) Cyfernod Tymheredd VGS(th). --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Gwrthiant Gate VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Cyfanswm Tâl Giât (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs Tâl Gate-Ffynhonnell --- 80 ---
    Qgd Tâl Gate-Drain --- 60 ---
    Td(ymlaen) Amser Oedi Troi Ymlaen VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr Amser Codi --- 50 ---
    Td (diffodd) Amser Oedi Diffodd --- 228 ---
    Tf Amser Cwymp --- 322 ---
    Ciss Cynhwysedd Mewnbwn VDS=40V, VGS=0V , f=1MHz --- 13900 --- pF
    Coss Cynhwysedd Allbwn --- 6160 ---
    Crss Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro --- 220 ---

  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom