WSP4888 N-Sianel Ddeuol 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

cynnyrch

WSP4888 N-Sianel Ddeuol 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

disgrifiad byr:


  • Rhif Model:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13.5mΩ
  • ID:9.8A
  • Sianel:N-Sianel Ddeuol
  • Pecyn:SOP-8
  • Cynnyrch Summery:Mae foltedd WSP4888 MOSFET yn 30V, y cerrynt yw 9.8A, y gwrthiant yw 13.5mΩ, y sianel yw N-Channel Ddeuol, a'r pecyn yw SOP-8.
  • Ceisiadau:E-sigaréts, gwefrwyr diwifr, injans, dronau, gofal iechyd, gwefrwyr ceir, rheolyddion, dyfeisiau digidol, offer bach, ac electroneg i ddefnyddwyr.
  • Manylion Cynnyrch

    Cais

    Tagiau Cynnyrch

    Disgrifiad Cyffredinol

    Mae'r WSP4888 yn transistor perfformiad uchel gyda strwythur celloedd trwchus, sy'n ddelfrydol i'w ddefnyddio mewn trawsnewidwyr bwch cydamserol. Mae'n cynnwys RDSON rhagorol a thaliadau giât, sy'n golygu ei fod yn ddewis gorau ar gyfer y cymwysiadau hyn. Yn ogystal, mae'r WSP4888 yn bodloni gofynion RoHS a Chynnyrch Gwyrdd ac yn dod â gwarant EAS 100% ar gyfer swyddogaeth ddibynadwy.

    Nodweddion

    Mae Technoleg Ffos Uwch yn cynnwys dwysedd celloedd uchel a thâl giât isel iawn, gan leihau'r effaith CDV/dt yn sylweddol. Daw ein dyfeisiau gyda gwarant EAS 100% ac opsiynau sy'n gyfeillgar i'r amgylchedd.

    Mae ein MOSFETs yn destun mesurau rheoli ansawdd llym i sicrhau eu bod yn bodloni safonau uchaf y diwydiant. Mae pob uned yn cael ei phrofi'n drylwyr ar gyfer perfformiad, gwydnwch a dibynadwyedd, gan sicrhau bywyd cynnyrch hir. Mae ei ddyluniad garw yn ei alluogi i wrthsefyll amodau gwaith eithafol, gan sicrhau ymarferoldeb offer di-dor.

    Prisiau cystadleuol: Er gwaethaf eu hansawdd uwch, mae ein MOSFETs yn bris cystadleuol iawn, gan ddarparu arbedion cost sylweddol heb gyfaddawdu ar berfformiad. Credwn y dylai pob defnyddiwr gael mynediad at gynnyrch o ansawdd uchel, ac mae ein strategaeth brisio yn adlewyrchu'r ymrwymiad hwn.

    Cydnawsedd eang: Mae ein MOSFETs yn gydnaws ag amrywiaeth o systemau electronig, gan eu gwneud yn ddewis amlbwrpas ar gyfer gweithgynhyrchwyr a defnyddwyr terfynol. Mae'n integreiddio'n ddi-dor i systemau presennol, gan wella perfformiad cyffredinol heb fod angen addasiadau dylunio mawr.

    Ceisiadau

    Trawsnewidydd Buck Synchronous Point-of-Llwyth Amlder Uchel i'w ddefnyddio mewn systemau MB/NB/UMPC/VGA, Rhwydweithio Systemau Pŵer DC-DC, Switsys Llwyth, E-sigaréts, Gwefrydd Di-wifr, Moduron, Dronau, Offer meddygol, Gwefru Ceir, Rheolwyr , Cynhyrchion Digidol, Peiriannau Cartref Bach, ac Electroneg Defnyddwyr.

    rhif deunydd cyfatebol

    AOS AO4832 AO4838 AO4914, AR NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

    Paramedrau pwysig

    Symbol Paramedr Graddio Unedau
    VDS Foltedd Draen-Ffynhonnell 30 V
    VGS Foltedd Gate-Ffynhonnell ±20 V
    ID@TC=25℃ Draenio Parhaus Cyfredol, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70 ℃ Draenio Parhaus Cyfredol, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Cyfredol Draen Pyls2 45 A
    EAS Egni Avalanche Pwls Sengl3 25 mJ
    IAS Avalanche Cyfredol 12 A
    PD@TA=25℃ Cyfanswm Pŵer Dissipation4 2.0 W
    TSTG Amrediad Tymheredd Storio -55 i 150
    TJ Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol -55 i 150
    Symbol Paramedr Amodau Minnau. Teip. Max. Uned
    BVDSS Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Cyfernod Tymheredd BVDSS Cyfeiriad at 25 ℃ , ID = 1mA --- 0.034 --- V / ℃
    RDS(YMLAEN) Draen Statig-Ffynhonnell Ar-Wrthiant2 VGS=10V, ID=8.5A --- 13.5 18
           
        VGS=4.5V , ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) Foltedd Trothwy Gate VGS=VDS , ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △ VGS(th) Cyfernod Tymheredd VGS(th).   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Trawsgludiad Ymlaen VDS=5V , ID=8A --- 9 --- S
    Rg Gwrthiant Gate VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Cyfanswm Tâl Giât (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Tâl Gate-Ffynhonnell --- 1.5 ---
    Qgd Tâl Gate-Drain --- 2.5 ---
    Td(ymlaen) Amser Oedi Troi Ymlaen VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Amser Codi --- 9.2 19
    Td (diffodd) Amser Oedi Diffodd --- 19 34
    Tf Amser Cwymp --- 4.2 8
    Ciss Cynhwysedd Mewnbwn VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Cynhwysedd Allbwn --- 98 112
    Crss Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro --- 59 91

  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom