WSR140N12 N-sianel 120V 140A I-220-3L WINSOK MOSFET

WSR140N12 N-sianel 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET Delwedd dan Sylw

disgrifiad byr:

Rhif Model:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

ID:140A

Sianel:N-sianel

Pecyn:I-220-3L

Cynnyrch Summery:Mae foltedd WSR140N12 MOSFET yn 120V, y presennol yw 140A, y gwrthiant yw 5mΩ, y sianel yw N-sianel, a'r pecyn yw TO-220-3L.

Ceisiadau:Cyflenwad pŵer, meddygol, offer mawr, BMS ac ati.

Anfonwch e-bost atom PDF

Manylion Cynnyrch

Cais

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad Cyffredinol

Y WSR140N12 yw'r ffos perfformiad uchaf N-ch MOSFET gyda dwysedd celloedd uchel iawn, sy'n darparu RDSON rhagorol a thâl giât ar gyfer y rhan fwyaf o'r cymwysiadau trawsnewidydd byc cydamserol. Mae'r WSR140N12 yn bodloni'r gofyniad RoHS a Chynnyrch Gwyrdd, 100% EAS wedi'i warantu gyda dibynadwyedd swyddogaeth lawn wedi'i gymeradwyo.

Nodweddion

Technoleg ffos dwysedd celloedd uchel uwch, Tâl Porth Isel Gwych, Dirywiad effaith CDV/dt Ardderchog, 100% EAS Gwarantedig, Dyfais Werdd Ar Gael.

Ceisiadau

Trawsnewidydd Buck Cydamserol Pwynt-o-Llwyth Amlder Uchel, Rhwydweithio System Bwer DC-DC, Cyflenwad pŵer, meddygol, offer mawr, BMS ac ati.

rhif deunydd cyfatebol

ST STP40NF12 ac ati.

Paramedrau pwysig

Symbol	Paramedr	Graddio	Unedau
VDS	Foltedd Draen-Ffynhonnell	120	V
VGS	Foltedd Gate-Ffynhonnell	±20	V
ID	Draenio Parhaus Cyfredol, VGS @ 10V(TC=25℃)	140	A
IDM	Cyfredol Draen Pyls	330	A
EAS	Egni Avalanche Pwls Sengl	400	mJ
PD	Cyfanswm gwasgariad pŵer... C = 25 ℃)	192	W
RθJA	Ymwrthedd thermol, cyffordd-amgylchynol	62	℃/W
RθJC	Ymwrthedd thermol, cyffordd-achos	0.65	℃/W
TSTG	Amrediad Tymheredd Storio	-55 i 150	℃
TJ	Amrediad Tymheredd Cyffordd Weithredol	-55 i 150	℃

Symbol	Paramedr	Amodau	Minnau.	Teip.	Max.	Uned
BVDSS	Foltedd Dadelfennu Draen-Ffynhonnell	VGS=0V , ID=250uA	120	---	---	V
RDS(YMLAEN)	Draen Statig-Ffynhonnell Ar-Wrthiant2	VGS=10V, ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(th)	Foltedd Trothwy Gate	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Draen-Ffynhonnell Gollyngiadau Cyfredol	VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Gollyngiadau Gate-Ffynhonnell Cyfredol	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Cyfanswm Tâl Giât	VDS=50V, VGS=10V, ID=15A	---	68.9	---	nC
Qgs	Tâl Gate-Ffynhonnell		---	18.1	---
Qgd	Tâl Gate-Drain		---	15.9	---
Td(ymlaen)	Amser Oedi Troi Ymlaen	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Amser Codi		---	33.0	---
Td (diffodd)	Amser Oedi Diffodd		---	59.5	---
Tf	Amser Cwymp		---	11.7	---
Ciss	Cynhwysedd Mewnbwn	VDS=50V, VGS=0V , f=1MHz	---	5823. llarieidd-dra eg	---	pF
Coss	Cynhwysedd Allbwn		---	778.3	---
Crss	Cynhwysedd Trosglwyddo Gwrthdro		---	17.5	---