Ynglŷn ag egwyddor weithredol pŵer MOSFET

Mae yna lawer o amrywiadau o symbolau cylched a ddefnyddir yn gyffredin ar gyfer MOSFETs. Y dyluniad mwyaf cyffredin yw llinell syth sy'n cynrychioli'r sianel, dwy linell berpendicwlar i'r sianel sy'n cynrychioli'r ffynhonnell a'r draen, a llinell fyrrach yn gyfochrog â'r sianel ar y chwith sy'n cynrychioli'r giât. Weithiau mae'r llinell syth sy'n cynrychioli'r sianel hefyd yn cael ei disodli gan linell dorri i wahaniaethu rhwng modd gwellamosffet neu mosfet modd disbyddu, sydd hefyd wedi'i rannu'n MOSFET sianel N a MOSFET sianel-P ddau fath o symbolau cylched fel y dangosir yn y ffigur (mae cyfeiriad y saeth yn wahanol).

Mae MOSFETs pŵer yn gweithio mewn dwy brif ffordd:

(1) Pan ychwanegir foltedd positif at D ac S (draen positif, ffynhonnell negyddol) ac UGS = 0, mae'r gyffordd PN yn rhanbarth y corff P a'r rhanbarth draen N yn gogwyddo i'r gwrthwyneb, ac nid oes cerrynt yn pasio rhwng D ac S. Os ychwanegir foltedd positif UGS rhwng G ac S, ni fydd unrhyw gerrynt giât yn llifo oherwydd bod y giât wedi'i inswleiddio, ond bydd foltedd positif wrth y giât yn gwthio'r tyllau i ffwrdd o'r rhanbarth P oddi tano, a bydd yr electronau cludo lleiafrifol yn cael eu denu i wyneb y rhanbarth P Pan fo'r UGS yn fwy na foltedd penodol UT, bydd y crynodiad electronau ar wyneb y rhanbarth P o dan y giât yn fwy na chrynodiad y twll, gan wneud y lled-ddargludydd P-math gwrthpattern haen N-math lled-ddargludydd; mae'r haen gwrthbatrwm hon yn ffurfio sianel N-math rhwng y ffynhonnell a'r draen, fel bod y gyffordd PN yn diflannu, y ffynhonnell a'r draen yn ddargludol, ac mae ID cerrynt draen yn llifo trwy'r draen. Gelwir UT yn foltedd troi ymlaen neu'r foltedd trothwy, a'r mwyaf o UGS sy'n fwy na UT, y mwyaf dargludol yw'r gallu dargludol, a'r mwyaf yw'r ID. Po fwyaf yw'r UGS yn fwy na UT, y cryfaf yw'r dargludedd, y mwyaf yw'r ID.

(2) Pan fydd D, S ynghyd â foltedd negyddol (ffynhonnell bositif, draen negyddol), mae cyffordd PN yn gogwyddo ymlaen, sy'n cyfateb i ddeuod gwrthdroi mewnol (nid oes ganddo nodweddion ymateb cyflym), hynny yw, yMOSFET nad oes ganddo allu blocio gwrthdro, gellir ei ystyried yn gydrannau dargludiad gwrthdro.

Gan yMOSFET gellir gweld egwyddor gweithredu, ei dargludiad dim ond un cludwyr Polaredd sy'n ymwneud â'r dargludol, felly adwaenir hefyd fel unipolar transistor.MOSFET gyriant yn aml yn seiliedig ar y cyflenwad pŵer IC a pharamedrau MOSFET i ddewis y cylched priodol, MOSFET yn cael ei ddefnyddio yn gyffredinol ar gyfer newid cylched gyriant cyflenwad pŵer. Wrth ddylunio cyflenwad pŵer newid gan ddefnyddio MOSFET, mae'r rhan fwyaf o bobl yn ystyried gwrth-wrthiant, foltedd uchaf, ac uchafswm cerrynt y MOSFET. Fodd bynnag, yn aml iawn dim ond y ffactorau hyn y mae pobl yn eu hystyried, fel y gall y gylched weithio'n iawn, ond nid yw'n ateb dylunio da. I gael dyluniad manylach, dylai'r MOSFET hefyd ystyried ei wybodaeth baramedr ei hun. Ar gyfer MOSFET pendant, bydd ei gylched gyrru, cerrynt brig yr allbwn gyrru, ac ati, yn effeithio ar berfformiad newid y MOSFET.