Dadansoddiad o achosion pwysig cynhyrchu gwres MOSFET

N math, P math MOSFET egwyddor gweithio o hanfod yr un fath, MOSFET yn cael ei ychwanegu yn bennaf at ochr mewnbwn y foltedd giât i reoli ochr allbwn y cerrynt draen yn llwyddiannus, MOSFET yn ddyfais a reolir gan foltedd, drwy'r foltedd ychwanegu i'r giât i reoli nodweddion y ddyfais, yn wahanol i'r triode i wneud amser newid oherwydd y cerrynt sylfaen a achosir gan yr effaith storio tâl, wrth newid cymwysiadau, MOSFET's Mewn ceisiadau newid,MOSFET's mae cyflymder newid yn gyflymach na chyflymder triawd.

Yn y cyflenwad pŵer newid, cylched draen agored MOSFET a ddefnyddir yn gyffredin, mae'r draen wedi'i gysylltu â'r llwyth fel y mae, a elwir yn ddraen agored, cylched draen agored, mae'r llwyth yn gysylltiedig â pha mor uchel yw'r foltedd, yn gallu troi ymlaen, diffodd y cerrynt llwyth, yw'r ddyfais newid analog delfrydol, sef egwyddor y MOSFET i wneud dyfeisiau newid, y MOSFET i wneud newid ar ffurf mwy o gylchedau.

O ran newid cymwysiadau cyflenwad pŵer, mae angen y cais hwn MOSFETau i gynnal o bryd i'w gilydd, diffodd, megis cyflenwad pŵer DC-DC a ddefnyddir yn gyffredin yn y trawsnewidydd Buck sylfaenol yn dibynnu ar ddau MOSFETs i gyflawni'r swyddogaeth newid, mae'r rhain yn switshis bob yn ail yn yr anwythydd i storio ynni, rhyddhau'r egni i'r llwyth, yn aml yn dewis cannoedd o kHz neu hyd yn oed yn fwy nag 1 MHz, yn bennaf oherwydd po uchaf yw'r amlder wedyn, y lleiaf yw'r cydrannau magnetig. Yn ystod gweithrediad arferol, mae'r MOSFET yn gyfwerth â dargludydd, er enghraifft, MOSFETs pŵer uchel, MOSFETs foltedd bach, cylchedau, cyflenwad pŵer yw colled dargludiad lleiaf y MOS.

Paramedrau MOSFET PDF, mae gweithgynhyrchwyr MOSFET wedi mabwysiadu'r paramedr RDS (ON) yn llwyddiannus i ddiffinio'r rhwystriant ar y wladwriaeth, ar gyfer newid cymwysiadau, RDS (ON) yw'r nodwedd ddyfais bwysicaf; mae taflenni data yn diffinio RDS (ON), mae foltedd y giât (neu'r gyriant) VGS a'r cerrynt sy'n llifo trwy'r switsh yn gysylltiedig, ar gyfer gyriant gât digonol, mae RDS (ON) yn baramedr cymharol statig; Mae MOSFETs sydd wedi bod mewn dargludiad yn dueddol o gynhyrchu gwres, a gall tymheredd cyffordd sy'n cynyddu'n araf arwain at gynnydd mewn RDS (ON);MOSFET mae taflenni data yn nodi'r paramedr rhwystriant thermol, a ddiffinnir fel gallu cyffordd lled-ddargludyddion y pecyn MOSFET i wasgaru gwres, a diffinnir RθJC yn syml fel rhwystriant thermol cyffordd-i-achos.

1, mae'r amlder yn rhy uchel, weithiau bydd gor-ymlid y gyfaint, yn arwain yn uniongyrchol at amlder uchel, MOSFET ar y cynnydd colled, y mwyaf yw'r gwres, peidiwch â gwneud gwaith da o ddyluniad afradu gwres digonol, cerrynt uchel, y nominal gwerth presennol y MOSFET, yr angen am afradu gwres da i allu cyflawni; ID yn llai na'r uchafswm presennol, gall fod yn wres difrifol, yr angen am heatsinks ategol digonol.

2, nid yw gwallau dethol MOSFET a gwallau mewn dyfarniad pŵer, ymwrthedd mewnol MOSFET yn cael eu hystyried yn llawn, yn arwain yn uniongyrchol at fwy o rwystr newid, wrth ddelio â phroblemau gwresogi MOSFET.

3, oherwydd problemau dylunio cylched, gan arwain at wres, fel bod y MOSFET yn gweithio mewn cyflwr gweithredu llinellol, nid yn y cyflwr newid, sy'n achos uniongyrchol gwresogi MOSFET, er enghraifft, mae N-MOS yn newid, y G- rhaid i foltedd lefel fod yn uwch na'r cyflenwad pŵer o ychydig V, er mwyn gallu dargludiad llawn, mae'r P-MOS yn wahanol; yn absenoldeb agoriad llawn, mae'r gostyngiad foltedd yn rhy fawr, a fydd yn arwain at ddefnydd pŵer, mae'r rhwystriant DC cyfatebol yn fwy, bydd y gostyngiad foltedd hefyd yn cynyddu, U * Byddaf hefyd yn cynyddu, bydd y golled yn arwain at wres.