Nodweddion MOSFETs a Rhagofalon i'w Defnyddio

I. Diffiniad o MOSFET

Fel dyfeisiau cerrynt uchel sy'n cael eu gyrru gan foltedd, MOSFETau yn cael nifer fawr o gymwysiadau mewn cylchedau, yn enwedig systemau pŵer. Nid yw deuodau corff MOSFET, a elwir hefyd yn deuodau parasitig, i'w cael yn lithograffeg cylchedau integredig, ond fe'u ceir mewn dyfeisiau MOSFET ar wahân, sy'n darparu amddiffyniad gwrthdroi a pharhad cerrynt pan gaiff ei yrru gan gerrynt uchel a phan fo llwythi anwythol yn bresennol.

Oherwydd presenoldeb y deuod hwn, ni ellir gweld y ddyfais MOSFET yn newid mewn cylched, fel mewn cylched codi tâl lle mae codi tâl wedi'i orffen, mae pŵer yn cael ei dynnu ac mae'r batri yn gwrthdroi tuag allan, sydd fel arfer yn ganlyniad nas dymunir.

Nodweddion MOSFETs a Rhagofalon i'w Defnyddio

Yr ateb cyffredinol yw ychwanegu deuod yn y cefn i atal cyflenwad pŵer gwrthdro, ond mae nodweddion y deuod yn pennu'r angen am ostyngiad mewn foltedd ymlaen o 0.6 ~ 1V, sy'n arwain at gynhyrchu gwres difrifol ar gerrynt uchel wrth achosi gwastraff. ynni a lleihau'r effeithlonrwydd ynni cyffredinol. Dull arall yw atodi MOSFET gefn wrth gefn, gan ddefnyddio gwrth-ymwrthedd isel y MOSFET i gyflawni effeithlonrwydd ynni.

Dylid nodi bod ar ôl dargludiad, y MOSFET yn angyfeiriadol, felly ar ôl dargludiad dan bwysau, mae'n cyfateb i gyda gwifren, dim ond resistive, dim gostyngiad foltedd ar-wladwriaeth, fel arfer dirlawn ar-ymwrthedd am ychydig filiohms imiliohms amserol, ac heb fod yn gyfeiriadol, gan ganiatáu i bŵer DC ac AC basio.

II. Nodweddion MOSFETs

1, mae MOSFET yn ddyfais a reolir gan foltedd, nid oes angen cam gyrru i yrru cerrynt uchel;

2 、 Gwrthiant mewnbwn uchel;

3, ystod amledd gweithredu eang, cyflymder newid uchel, colled isel

4, AC rhwystriant uchel cyfforddus, sŵn isel.

5,Defnydd cyfochrog lluosog, cynyddu cerrynt allbwn

Yn ail, y defnydd o MOSFETs yn y broses o ragofalon

1, er mwyn sicrhau defnydd diogel o MOSFET, yn y dyluniad llinell, ni ddylai fod yn fwy na'r afradu pŵer piblinell, foltedd ffynhonnell uchafswm gollyngiadau, foltedd ffynhonnell giât a gwerthoedd terfyn cyfredol a pharamedr eraill.

2, mae'n rhaid i wahanol fathau o MOSFETs sy'n cael eu defnyddiobod yn llym i mewn yn unol â'r mynediad rhagfarn gofynnol i'r cylched, i gydymffurfio â polaredd gwrthbwyso MOSFET.

3. Wrth osod y MOSFET, rhowch sylw i'r sefyllfa osod er mwyn osgoi agos at yr elfen wresogi. Er mwyn atal dirgryniad y ffitiadau, rhaid tynhau'r gragen; dylid plygu gwifrau'r pin yn fwy na maint y gwraidd o 5mm i atal y pin rhag plygu a gollwng.

4, oherwydd y rhwystriant mewnbwn hynod o uchel, rhaid cwtogi MOSFETs allan o'r pin wrth eu cludo a'u storio, a'u pecynnu â gorchudd metel i atal y gât rhag chwalu o'r tu allan.

5. Ni ellir gwrthdroi foltedd giât MOSFETs cyffordd a gellir ei storio mewn cyflwr cylched agored, ond mae gwrthiant mewnbwn MOSFETs giât wedi'i inswleiddio yn uchel iawn pan nad ydynt yn cael eu defnyddio, felly rhaid i bob electrod fod yn fyr-gylched. Wrth sodro MOSFETs gât wedi'u hinswleiddio, dilynwch drefn y ffynhonnell-ddraen-giât, a sodro â phŵer i ffwrdd.

Er mwyn sicrhau bod MOSFETs yn cael eu defnyddio'n ddiogel, mae angen i chi ddeall yn llawn nodweddion MOSFETs a'r rhagofalon i'w cymryd wrth ddefnyddio'r broses, rwy'n gobeithio y bydd y crynodeb uchod yn eich helpu chi.