Ydych chi'n gwybod beth yw MOSFET sianel N?

Mae N-Channel MOSFET, N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, yn fath pwysig o MOSFET. Mae'r canlynol yn esboniad manwl o MOSFETs sianel N:

I. Strwythur a chyfansoddiad sylfaenol

Mae MOSFET sianel N yn cynnwys y prif gydrannau canlynol:

Giât:y derfynell reoli, trwy newid y foltedd giât i reoli'r sianel dargludol rhwng y ffynhonnell a'r draen.· ·

Ffynhonnell:All-lif cyfredol, fel arfer yn gysylltiedig ag ochr negyddol y gylched.· ·

Draenio: mewnlif cyfredol, fel arfer yn gysylltiedig â llwyth y gylched.

Is-haen:Fel arfer deunydd lled-ddargludyddion P-math, a ddefnyddir fel swbstrad ar gyfer MOSFETs.

Ynysydd:Wedi'i leoli rhwng y giât a'r sianel, fe'i gwneir fel arfer o silicon deuocsid (SiO2) ac mae'n gweithredu fel ynysydd.

II. Egwyddor gweithredu

Mae egwyddor gweithredu MOSFET sianel N yn seiliedig ar yr effaith maes trydan, sy'n mynd ymlaen fel a ganlyn:

Statws torbwynt:Pan fo foltedd y giât (Vgs) yn is na'r foltedd trothwy (Vt), nid oes sianel ddargludo math N yn cael ei ffurfio yn y swbstrad P-math o dan y giât, ac felly mae'r cyflwr torri rhwng y ffynhonnell a'r draen yn ei le. ac ni all cerrynt lifo.

Cyflwr dargludedd:Pan fydd foltedd y giât (Vgs) yn uwch na'r foltedd trothwy (Vt), mae tyllau yn y swbstrad P-math o dan y giât yn cael eu gwrthyrru, gan ffurfio haen disbyddu. Gyda chynnydd pellach mewn foltedd giât, mae electronau'n cael eu denu i wyneb y swbstrad P-math, gan ffurfio sianel dargludo math N. Ar y pwynt hwn, mae llwybr yn cael ei ffurfio rhwng y ffynhonnell a'r draen a gall cerrynt lifo.

III. Mathau a nodweddion

Gellir dosbarthu MOSFETau sianel N yn wahanol fathau yn ôl eu nodweddion, megis Modd Gwella a Modd Disbyddu. Yn eu plith, mae MOSFETs Modd Gwella yn y cyflwr terfyn pan fo foltedd y giât yn sero, ac mae angen iddynt gymhwyso foltedd giât positif er mwyn dargludo; tra bod MOSFETs Modd Disbyddu eisoes yn y cyflwr dargludol pan fo foltedd y giât yn sero.

Mae gan MOSFETs sianel N lawer o nodweddion rhagorol megis:

Rhwystr mewnbwn uchel:Mae giât a sianel y MOSFET yn cael eu hynysu gan haen inswleiddio, gan arwain at rwystr mewnbwn uchel iawn.

Sŵn isel:Gan nad yw gweithrediad MOSFETs yn cynnwys chwistrellu a chyfuno cludwyr lleiafrifol, mae'r sŵn yn isel.

Defnydd pŵer isel: Mae gan MOSFETs ddefnydd pŵer isel mewn gwladwriaethau ar ac oddi arno.

Nodweddion newid cyflymder uchel:Mae gan MOSFETs gyflymder newid hynod o gyflym ac maent yn addas ar gyfer cylchedau amledd uchel a chylchedau digidol cyflym.