Cynhwysedd gatiau, ar-ymwrthedd a pharamedrau eraill MOSFETs

I. Cynhwysedd porth

Mae cynhwysedd giât yn bennaf yn cynnwys cynhwysedd mewnbwn (Ciss), cynhwysedd allbwn (Coss) a chynhwysedd trosglwyddo gwrthdro (Crss, a elwir hefyd yn gynhwysedd Miller).

Cynhwysedd Mewnbwn (Ciss):

DIFFINIAD: Y cynhwysedd mewnbwn yw cyfanswm y cynhwysedd rhwng y giât a'r ffynhonnell a'r draen, ac mae'n cynnwys cynhwysedd ffynhonnell y giât (Cgs) a chynhwysedd draen y giât (Cgd) wedi'i gysylltu yn gyfochrog, hy Ciss = Cgs + Cgd.

Swyddogaeth: Mae'r cynhwysedd mewnbwn yn effeithio ar gyflymder newid y MOSFET. Pan godir y cynhwysedd mewnbwn i foltedd trothwy, gellir troi'r ddyfais ymlaen; Wedi'i ryddhau i werth penodol, gellir diffodd y ddyfais. Felly, mae'r cylched gyrru a Ciss yn cael effaith uniongyrchol ar oedi troi ymlaen a diffodd y ddyfais.

Cynhwysedd allbwn (Coss):

Diffiniad: Cynhwysedd allbwn yw cyfanswm y cynhwysedd rhwng y draen a'r ffynhonnell, ac mae'n cynnwys cynhwysedd ffynhonnell-draen (Cds) a chynhwysedd draen-giât (Cgd) yn gyfochrog, hy Coss = Cds + Cgd.

Rôl: Mewn cymwysiadau newid meddal, mae Coss yn bwysig iawn oherwydd gall achosi cyseiniant yn y gylched.

Cynhwysedd Trawsyrru Gwrthdro (Crss):

Diffiniad: Mae'r cynhwysedd trosglwyddo cefn yn cyfateb i gynhwysedd draen y giât (Cgd) a chyfeirir ato'n aml fel cynhwysedd Miller.

Rôl: Mae'r cynhwysedd trosglwyddo cefn yn baramedr pwysig ar gyfer amseroedd codi a chwympo'r switsh, ac mae hefyd yn effeithio ar yr amser oedi diffodd. Mae'r gwerth cynhwysedd yn gostwng wrth i'r foltedd ffynhonnell draen gynyddu.

II. Ar-ymwrthedd (Rds(on))

Diffiniad: Ar-wrthiant yw'r gwrthiant rhwng ffynhonnell a draen MOSFET yn yr ar-gyflwr o dan amodau penodol (ee, cerrynt gollyngiadau penodol, foltedd giât, a thymheredd).

Ffactorau sy'n dylanwadu: Nid yw gwrth-wrthiant yn werth sefydlog, mae tymheredd yn effeithio arno, po uchaf yw'r tymheredd, y mwyaf yw'r Rds (ymlaen). Yn ogystal, po uchaf yw'r foltedd gwrthsefyll, y mwyaf trwchus yw strwythur mewnol y MOSFET, yr uchaf yw'r ar-ymwrthedd cyfatebol.

Pwysigrwydd: Wrth ddylunio cyflenwad pŵer newid neu gylched gyrrwr, mae angen ystyried gwrth-wrthiant y MOSFET, oherwydd bydd y cerrynt sy'n llifo trwy'r MOSFET yn defnyddio egni ar y gwrthiant hwn, a gelwir y rhan hon o'r ynni a ddefnyddir ar- colli gwrthiant. Gall dewis MOSFET gydag ar-ymwrthedd isel leihau'r golled ar-ymwrthedd.

Yn drydydd, paramedrau pwysig eraill

Yn ogystal â chynhwysedd y giât a'r gwrthiant, mae gan y MOSFET rai paramedrau pwysig eraill megis:

V(BR)DSS (Foltedd Dadansoddiad Ffynhonnell Draen):Y foltedd ffynhonnell draen lle mae'r cerrynt sy'n llifo trwy'r draen yn cyrraedd gwerth penodol ar dymheredd penodol a gyda ffynhonnell y giât wedi'i fyrhau. Yn uwch na'r gwerth hwn, efallai y bydd y tiwb yn cael ei niweidio.

VGS(th) (Foltedd Trothwy):Y foltedd giât sydd ei angen i achosi sianel ddargludo i ddechrau ffurfio rhwng y ffynhonnell a'r draen. Ar gyfer MOSFETs sianel N safonol, mae VT tua 3 i 6V.

ID (Uchafswm Cyfredol Draen Parhaus):Y cerrynt DC parhaus uchaf y gellir ei ganiatáu gan y sglodion ar y tymheredd cyffordd uchaf â sgôr.

IDM (Uchafswm Cyfredol Draen Pwls):Yn adlewyrchu lefel y cerrynt curiad y gall y ddyfais ei drin, gyda cherrynt pwls yn llawer uwch na cherrynt DC di-dor.

PD (gwarediad pŵer mwyaf):gall y ddyfais wasgaru'r defnydd pŵer mwyaf posibl.

I grynhoi, mae cynhwysedd giât, ar-ymwrthedd a pharamedrau eraill MOSFET yn hanfodol i'w berfformiad a'i gymhwysiad, ac mae angen eu dewis a'u dylunio yn unol â senarios a gofynion cais penodol.