Sut mae MOSFETs yn gweithio?

1, MOSFETrhagymadrodd

Talfyriad Transistor FieldEffect (FET)) teitl MOSFET. gan nifer fach o gludwyr i gymryd rhan mewn dargludiad gwres, a elwir hefyd yn transistor aml-polyn. Mae'n perthyn i fecanwaith lled-ddargludyddion math meistroli foltedd. Mae ymwrthedd allbwn yn uchel (10^8 ~ 10^9Ω), sŵn isel, defnydd pŵer isel, ystod statig, hawdd ei integreiddio, dim ail ffenomen chwalu, mae tasg yswiriant y môr a manteision eraill, bellach wedi newid. y transistor deubegwn a transistor cyffordd pŵer y cydweithredwyr cryf.

2, nodweddion MOSFET

1, MOSFET yn ddyfais rheoli foltedd, mae'n drwy'r VGS (porth ffynhonnell foltedd) rheoli ID (draenio DC);

2, MOSFET'smae polyn DC allbwn yn fach, felly mae'r gwrthiant allbwn yn fawr.

3, mae'n gais nifer fach o gludwyr i gynnal gwres, felly mae ganddo well mesur o sefydlogrwydd;

4, mae'n cynnwys llwybr lleihau'r cyfernod lleihau trydanol yn llai nag y mae'r triode yn cynnwys llwybr lleihau'r cyfernod lleihau;

5, gallu gwrth-arbelydru MOSFET;

6, oherwydd absenoldeb gweithgaredd diffygiol y gwasgariad oligon a achosir gan ronynnau gwasgaredig o sŵn, felly mae'r sŵn yn isel.

3 、 egwyddor tasg MOSFET

MOSFET'segwyddor gweithredu mewn un frawddeg, yw "draen - ffynhonnell rhwng yr ID sy'n llifo drwy'r sianel ar gyfer y giât a'r sianel rhwng y gyffordd pn a ffurfiwyd gan ragfarn gwrthdro'r ID meistr foltedd giât", i fod yn fanwl gywir, mae ID yn llifo trwy'r lled o'r llwybr, hynny yw, ardal drawsdoriadol y sianel, yw'r newid yn y gogwydd gwrthdro o'r gyffordd pn, sy'n cynhyrchu haen disbyddu Y rheswm dros y rheolaeth amrywiad estynedig. Yn y môr annirlawn o VGS = 0, gan nad yw ehangiad yr haen drawsnewid yn fawr iawn, yn ôl ychwanegu maes magnetig VDS rhwng y ffynhonnell ddraenio, mae rhai electronau yn y môr ffynhonnell yn cael eu tynnu i ffwrdd gan y draen, hy, mae gweithgaredd DC ID o'r draen i'r ffynhonnell. Mae'r haen gymedrol wedi'i chwyddo o'r giât i'r draen yn gwneud corff cyfan o'r sianel yn ffurfio math blocio, ID llawn. Galwch y ffurflen hon fel pinsiad i ffwrdd. Symboleiddio'r haen pontio i'r sianel o rwystr cyfan, yn hytrach na DC pŵer yn cael ei dorri i ffwrdd.

Oherwydd nad oes symudiad rhydd o electronau a thyllau yn yr haen bontio, mae ganddo briodweddau insiwleiddio bron yn y ffurf ddelfrydol, ac mae'n anodd i'r cerrynt cyffredinol lifo. Ond yna mae'r maes trydan rhwng y draen - ffynhonnell, mewn gwirionedd, y ddwy haen pontio draen cyswllt a polyn giât ger y rhan isaf, oherwydd bod y maes trydan drifft yn tynnu'r electronau cyflym trwy'r haen drawsnewid. Mae dwyster y maes drifft bron yn gyson gan gynhyrchu cyflawnder yr olygfa ID.

Mae'r gylched yn defnyddio cyfuniad o MOSFET sianel-P gwell a MOSFET sianel-N uwch. Pan fydd y mewnbwn yn isel, mae'r MOSFET sianel P yn dargludo ac mae'r allbwn wedi'i gysylltu â therfynell bositif y cyflenwad pŵer. Pan fydd y mewnbwn yn uchel, mae'r MOSFET sianel N yn dargludo ac mae'r allbwn wedi'i gysylltu â daear y cyflenwad pŵer. Yn y gylched hon, mae'r MOSFET sianel-P a'r MOSFET sianel N bob amser yn gweithredu mewn cyflyrau cyferbyniol, gyda'u mewnbynnau a'u hallbynnau gwedd yn cael eu gwrthdroi.