MOSFET achosion gwresogi cerrynt bach a mesurau

Amser Postio: Mai-19-2024

Fel un o'r dyfeisiau mwyaf sylfaenol yn y maes lled-ddargludyddion, defnyddir MOSFETs yn eang mewn dylunio IC a chylchedau lefel bwrdd. Ar hyn o bryd, yn enwedig ym maes lled-ddargludyddion pŵer uchel, mae amrywiaeth o wahanol strwythurau MOSFETs hefyd yn chwarae rhan anadferadwy. CanysMOSFETau, gellir dweud bod y strwythur yn set o syml a chymhleth mewn un, syml yn syml yn ei strwythur, cymhleth yn seiliedig ar gymhwyso ei ystyriaeth fanwl. Yn y dydd i ddydd,MOSFET mae gwres hefyd yn cael ei ystyried yn sefyllfa gyffredin iawn, yr allwedd y mae angen i ni wybod y rhesymau o ble, a pha ddulliau y gellir eu datrys? Nesaf gadewch inni ddod at ein gilydd i ddeall.

I. AchosionMOSFET gwresogi
1, y broblem o ddylunio cylched. Ei ddiben yw gadael i'r MOSFET weithio yn y cyflwr ar-lein, nid yn y cyflwr newid. Dyma un o'r rhesymau pam mae'r MOSFET yn mynd yn boeth. Os yw'r N-MOS yn gwneud y newid, mae'n rhaid i'r foltedd lefel G fod ychydig V yn uwch na'r cyflenwad pŵer er mwyn bod ymlaen yn llawn, ac mae'r gwrthwyneb yn wir am y P-MOS. Ddim yn gwbl agored ac mae'r gostyngiad foltedd yn rhy fawr gan arwain at ddefnydd pŵer, mae'r rhwystriant DC cyfatebol yn gymharol fawr, mae'r gostyngiad mewn foltedd yn cynyddu, felly mae U * I hefyd yn cynyddu, mae'r golled yn golygu gwres.

2, mae'r amlder yn rhy uchel. Yn bennaf weithiau'n ormod ar gyfer y gyfrol, gan arwain at fwy o amlder, colledion MOSFET ar y cynnydd, sydd hefyd yn arwain at wresogi MOSFET.

3, mae'r presennol yn rhy uchel. Pan fydd yr ID yn llai na'r uchafswm cerrynt, bydd hefyd yn achosi i'r MOSFET gynhesu.

4, mae dewis y model MOSFET yn anghywir. Nid yw gwrthiant mewnol y MOSFET yn cael ei ystyried yn llawn, gan arwain at fwy o rwystr newid.二,

Yr ateb ar gyfer cynhyrchu gwres difrifol MOSFET
1, Gwnewch waith da ar ddyluniad sinc gwres y MOSFET.

2, Ychwanegu digon o sinciau gwres ategol.

3, Gludwch y gludydd sinc gwres.