DisbydduMOSFET, a elwir hefyd yn disbyddu MOSFET, yn gyflwr gweithredu pwysig o tiwbiau effaith maes. Mae'r canlynol yn ddisgrifiad manwl ohono:
Diffiniadau a Nodweddion
DIFFINIAD: dihysbyddMOSFETyn fath arbennig oMOSFETsy'n gallu dargludo trydan oherwydd bod cludwyr eisoes yn bresennol yn ei sianel pan fo foltedd y giât yn sero neu o fewn ystod benodol. Mae hyn yn wahanol i welliantMOSFETausy'n gofyn am werth penodol o foltedd giât i ffurfio sianel ddargludo.
Nodweddion: math disbydduMOSFETmae ganddo fanteision rhwystriant mewnbwn uchel, cerrynt gollyngiadau isel a rhwystriant newid isel. Mae'r nodweddion hyn yn ei gwneud yn werthfawr ar gyfer ystod eang o gymwysiadau mewn dylunio cylchedau.
Egwyddor Gweithio
Egwyddor gweithredu disbydduMOSFETaugellir ei reoli trwy newid foltedd y giât i reoli nifer y cludwyr yn y sianel ac felly'r presennol. Gellir crynhoi'r broses weithredu yn y camau canlynol:
Cyflwr gwaharddedig: Pan fo foltedd y giât yn is na'r foltedd critigol rhwng y sianel a'r ffynhonnell, mae'r ddyfais yn y cyflwr gwaharddedig ac nid oes cerrynt yn mynd trwy'rMOSFET.
Cyflwr gwrthiant negyddol: Wrth i foltedd y giât gynyddu, mae tâl yn dechrau cronni yn y sianel, gan greu effaith gwrthiant negyddol. Trwy addasu foltedd y giât, gellir rheoli cryfder yr ymwrthedd negyddol, a thrwy hynny reoli'r presennol yn y sianel.
AR WLAD: Pan fydd foltedd y giât yn parhau i gynyddu y tu hwnt i foltedd critigol,y MOSFETyn mynd i mewn i'r cyflwr ON ac mae nifer fawr o electronau a thyllau yn cael eu cludo drwy'r sianel, gan greu cerrynt sylweddol.
Dirlawnder: Yn y cyflwr ymlaen, mae'r cerrynt yn y sianel yn cyrraedd lefel dirlawnder, ac ar yr adeg honno nid yw parhau i gynyddu foltedd y giât bellach yn cynyddu'r cerrynt yn sylweddol.
Cyflwr torbwynt(sylwer: gall y disgrifiad o "cyflwr toriad" yma fod ychydig yn wahanol i lenyddiaeth arall oherwydd disbyddiadMOSFETaudargludo bob amser o dan amodau penodol): O dan rai amgylchiadau (ee, newid eithafol yn foltedd y giât), disbyddiadMOSFETgall fynd i gyflwr dargludedd isel, ond nid yw wedi'i dorri'n llwyr.
Ardaloedd Cais
Math disbydduMOSFETauyn cael ystod eang o gymwysiadau mewn sawl maes oherwydd eu nodweddion perfformiad unigryw:
Rheoli pŵer: Yn defnyddio ei rhwystriant mewnbwn uchel a nodweddion cerrynt gollyngiadau isel i gyflawni trosi ynni effeithlon mewn cylchedau rheoli pŵer.
Cylchedau analog a digidol: chwarae rhan bwysig mewn cylchedau analog a digidol fel elfennau newid neu ffynonellau cerrynt.
Gyriant modur: gwireddir rheolaeth fanwl ar gyflymder modur a llywio trwy reoli dargludiad a thoriadMOSFETau.
Cylchdaith Gwrthdröydd: Mewn systemau cynhyrchu pŵer solar a systemau cyfathrebu radio, fel un o gydrannau allweddol y gwrthdröydd, i wireddu trosi DC i AC.
Rheoleiddiwr foltedd: Trwy addasu maint y foltedd allbwn, mae'n sylweddoli allbwn sefydlog foltedd ac yn gwarantu gwaith arferol offer electronig.
cafeat
Mewn cymwysiadau ymarferol, mae angen dewis y disbyddiad priodolMOSFETmodel a pharamedrau yn ôl yr anghenion penodol.
Ers math disbydduMOSFETaugweithredu'n wahanol i'r math o welliantMOSFETau, mae angen sylw arbennig arnynt mewn dylunio cylchedau ac optimeiddio.
I grynhoi, math disbydduMOSFET, fel cydran electronig bwysig, mae ganddo ystod eang o ragolygon ymgeisio ym maes electroneg. Gyda chynnydd parhaus gwyddoniaeth a thechnoleg a'r cynnydd yn y galw am geisiadau, bydd ei berfformiad a chwmpas y cais hefyd yn parhau i ehangu a gwella.
Amser post: Medi-14-2024