Mae MOSFETs (Transistor Effaith Maes-Metel-Ocsid-Led-ddargludyddion) yn aml yn cael eu hystyried yn ddyfeisiau a reolir yn llawn. Mae hyn oherwydd bod cyflwr gweithredu (ymlaen neu i ffwrdd) y MOSFET yn cael ei reoli'n llwyr gan foltedd y giât (Vgs) ac nid yw'n dibynnu ar y cerrynt sylfaen fel yn achos transistor deubegwn (BJT).
Mewn MOSFET, mae foltedd y giât Vgs yn pennu a yw sianel ddargludo yn cael ei ffurfio rhwng y ffynhonnell a'r draen, yn ogystal â lled a dargludedd y sianel dargludo. Pan fydd Vgs yn fwy na'r foltedd trothwy Vt, mae'r sianel dargludo yn cael ei ffurfio ac mae'r MOSFET yn mynd i mewn i'r ar-wladwriaeth; pan fydd Vgs yn disgyn o dan Vt, mae'r sianel dargludo yn diflannu ac mae'r MOSFET yn y cyflwr torbwynt. Mae'r rheolaeth hon wedi'i rheoli'n llawn oherwydd gall foltedd y giât reoli cyflwr gweithredu'r MOSFET yn annibynnol ac yn fanwl gywir heb ddibynnu ar baramedrau cyfredol neu foltedd eraill.
Mewn cyferbyniad, nid yn unig y mae'r foltedd rheoli neu'r cerrynt yn effeithio ar gyflwr gweithredu dyfeisiau hanner-reoledig (ee, thyristorau), ond hefyd gan ffactorau eraill (ee, foltedd anod, cerrynt, ac ati). O ganlyniad, mae dyfeisiau a reolir yn llawn (ee, MOSFETs) fel arfer yn cynnig perfformiad gwell o ran cywirdeb rheolaeth a hyblygrwydd.
I grynhoi, mae MOSFETs yn ddyfeisiau a reolir yn llawn y mae eu cyflwr gweithredu yn cael ei reoli'n llwyr gan foltedd y giât, ac mae ganddynt fanteision cywirdeb uchel, hyblygrwydd uchel a defnydd pŵer isel.
Amser postio: Medi-20-2024
