Mae cylched gwrth-wrthdroi MOSFET yn fesur amddiffyn a ddefnyddir i atal y gylched llwyth rhag cael ei niweidio gan polaredd pŵer gwrthdroi. Pan fo polaredd y cyflenwad pŵer yn gywir, mae'r gylched yn gweithio fel arfer; pan fydd polaredd y cyflenwad pŵer yn cael ei wrthdroi, caiff y gylched ei datgysylltu'n awtomatig, gan amddiffyn y llwyth rhag difrod. Mae'r canlynol yn ddadansoddiad manwl o gylched gwrth-wrthdroi MOSFET:
Yn gyntaf, egwyddor sylfaenol cylched gwrth-wrthdroi MOSFET
Cylched gwrth-wrthdroi MOSFET gan ddefnyddio nodweddion newid y MOSFET, trwy reoli foltedd y giât (G) i wireddu'r gylched ymlaen ac i ffwrdd. Pan fo polaredd y cyflenwad pŵer yn gywir, mae foltedd y giât yn gwneud y MOSFET yn y cyflwr dargludiad, gall y cerrynt lifo'n normal; pan fydd polaredd y cyflenwad pŵer yn cael ei wrthdroi, ni all foltedd y giât wneud y dargludiad MOSFET, gan dorri'r gylched i ffwrdd.
Yn ail, gwireddu penodol y cylched gwrth-wrthdroi MOSFET
1. Cylchdaith gwrth-wrthdroi MOSFET N-sianel
Defnyddir MOSFETs sianel N fel arfer i wireddu cylchedau gwrth-wrthdroi. Yn y gylched, mae ffynhonnell (S) y MOSFET sianel N wedi'i gysylltu â therfynell negyddol y llwyth, mae'r draen (D) wedi'i gysylltu â therfynell bositif y cyflenwad pŵer, ac mae'r giât (G) wedi'i gysylltu â terfynell negyddol y cyflenwad pŵer trwy wrthydd neu a reolir gan gylched reoli.
Cysylltiad ymlaen: mae terfynell bositif y cyflenwad pŵer wedi'i gysylltu â D, ac mae'r derfynell negyddol wedi'i gysylltu â S. Ar yr adeg hon, mae'r gwrthydd yn darparu foltedd ffynhonnell y giât (VGS) ar gyfer y MOSFET, a phan fo VGS yn fwy na'r trothwy foltedd (Vth) y MOSFET, mae'r MOSFET yn dargludo, ac mae'r cerrynt yn llifo o derfynell bositif y cyflenwad pŵer i'r llwyth trwy'r MOSFET.
Pan gaiff ei wrthdroi: mae terfynell bositif y cyflenwad pŵer wedi'i gysylltu â S, ac mae'r derfynell negyddol wedi'i gysylltu â D. Ar yr adeg hon, mae'r MOSFET mewn cyflwr torri ac mae'r gylched wedi'i datgysylltu i amddiffyn y llwyth rhag difrod oherwydd bod foltedd y giât yn methu â ffurfio VGS digonol i wneud y dargludiad MOSFET (gall VGS fod yn llai na 0 neu'n llawer llai na Vth).
2. Rôl Cydrannau Ategol
Gwrthydd: Defnyddir i ddarparu foltedd ffynhonnell giât ar gyfer MOSFET a chyfyngu ar gerrynt giât i atal difrod gorlif y giât.
Rheoleiddiwr foltedd: cydran ddewisol a ddefnyddir i atal foltedd ffynhonnell y giât rhag bod yn rhy uchel a chwalu'r MOSFET.
Deuod parasitig: Mae deuod parasitig (deuod corff) yn bodoli y tu mewn i'r MOSFET, ond fel arfer caiff ei effaith ei anwybyddu neu ei osgoi gan ddyluniad cylched er mwyn osgoi ei effaith andwyol mewn cylchedau gwrth-wrthdroi.
Yn drydydd, mae manteision cylched gwrth-wrthdroi MOSFET
Colled isel: Mae ar-ymwrthedd MOSFET yn fach, mae'r foltedd ar-ymwrthedd yn cael ei leihau, felly mae'r golled cylched yn fach.
Dibynadwyedd uchel: gellir gwireddu swyddogaeth gwrth-wrthdroi trwy ddyluniad cylched syml, ac mae gan y MOSFET ei hun lefel uchel o ddibynadwyedd.
Hyblygrwydd: gellir dewis gwahanol fodelau MOSFET a chynlluniau cylched i fodloni gwahanol ofynion cymhwyso.
Rhagofalon
Wrth ddylunio cylched gwrth-wrthdroi MOSFET, mae angen i chi sicrhau bod y dewis o MOSFETs i fodloni gofynion y cais, gan gynnwys foltedd, cerrynt, cyflymder newid a pharamedrau eraill.
Mae angen ystyried dylanwad cydrannau eraill yn y gylched, megis cynhwysedd parasitig, anwythiad parasitig, ac ati, er mwyn osgoi effeithiau andwyol ar berfformiad y gylched.
Mewn cymwysiadau ymarferol, mae angen profi a gwirio digonol hefyd i sicrhau sefydlogrwydd a dibynadwyedd y gylched.
I grynhoi, mae cylched gwrth-wrthdroi MOSFET yn gynllun amddiffyn cyflenwad pŵer syml, dibynadwy a cholled isel a ddefnyddir yn helaeth mewn amrywiaeth o gymwysiadau sy'n gofyn am atal polaredd pŵer gwrthdroi.
Amser post: Medi-13-2024
