Egwyddor amnewid MOSFET a barn dda a drwg

1, dyfarniad ansoddolMOSFETda neu ddrwg

Egwyddor amnewid MOSFET a barn dda neu ddrwg, yn gyntaf defnyddiwch y bloc multimeter R × 10kΩ (batri 9V neu 15V adeiledig), y pen negyddol (du) sy'n gysylltiedig â'r giât (G), y pen positif (coch) sy'n gysylltiedig â'r ffynhonnell (S). Wrth wefru rhwng y giât a'r ffynhonnell, bydd y pwyntydd multimedr yn cael ei gwyro ychydig. Unwaith eto gan ddefnyddio'r bloc multimeter R × 1Ω, y pen negyddol i'r draen (D), y pen positif i'r ffynhonnell (S), mae'r multimeter yn nodi gwerth ychydig o ohms, gan nodi bod y MOSFET yn dda.

 

2, dadansoddiad ansoddol o electrod MOSFET cyffordd

Bydd y multimedr yn cael ei ddeialu i ffeil R × 100, y pen coch i unrhyw un tiwb troed, pen du i un arall, fel bod y trydydd troed yn cael ei atal. Os byddwch chi'n dod o hyd i siglen fach o nodwydd y mesurydd, profwch mai'r drydedd droed yw'r giât. Os ydych chi am gael canlyniadau mwy amlwg, gallwch hefyd ddefnyddio'r corff yn agos at neu gyda bys i gyffwrdd â'r droed crog, cyn belled â'ch bod yn gweld y nodwydd wedi'i gwyro'n sylweddol, hynny yw, sy'n nodi bod y droed crog ar gyfer y giât, y dwy droedfedd sy'n weddill ar gyfer y ffynhonnell a'r draen, yn y drefn honno.

Rhesymau gwahaniaethol:JFETmae ymwrthedd mewnbwn yn fwy na 100MΩ, ac mae'r traws-ddargludedd yn uchel iawn, pan fydd y giât yn gylched agored, gall y maes electromagnetig gofod gael ei ysgogi'n hawdd gan signal foltedd y giât, fel bod y tiwb yn tueddu i dorri i ffwrdd, neu'n dueddol o ddargludiad. Os yw'r corff dynol yn uniongyrchol i'r foltedd sefydlu giât, oherwydd y signal ymyrraeth mewnbwn yn gryfach, bydd y ffenomen uchod yn fwy amlwg. Er enghraifft, mae'r nodwydd i'r gogwydd chwith yn fawr iawn, mae'n golygu bod y tiwb yn tueddu i dorri i ffwrdd, mae gwrthiant ffynhonnell draen RDS yn cynyddu, mae cerrynt ffynhonnell draen yn gostwng IDS. i'r gwrthwyneb, y nodwydd i ochr dde y gwyriad mawr, bod y tiwb yn tueddu i dargludiad, RDS ↓, IDS ↑. Fodd bynnag, dylid pennu pa gyfeiriad y mae nodwydd y mesurydd yn ei wyro mewn gwirionedd gan bolaredd y foltedd anwythol (foltedd ymlaen neu wrthdroi) a phwynt gweithredu'r tiwb.
Rhagofalon:

Mae canlyniadau'r profion yn dangos pan fydd y ddwy law wedi'u hinswleiddio o'r polion D a S a dim ond y giât sy'n cael ei chyffwrdd, mae nodwydd y mesurydd yn cael ei gwyro'n gyffredinol i'r chwith. Fodd bynnag, pan fydd y ddwy law yn cyffwrdd â'r polion D a S yn y drefn honno a bod y bysedd yn cyffwrdd â'r giât, gellir gweld bod nodwydd y mesurydd yn gwyro i'r dde. Y rheswm am hyn yw bod sawl rhan o'r corff dynol a gwrthiant yn rhagfarnu'rMOSFETi mewn i'r rhanbarth dirlawnder.

 

 

 

Penderfyniad pin triawd grisial

Mae triawd yn cynnwys craidd (dwy gyffordd PN), tri electrod a chragen tiwb, gelwir y tri electrod yn gasglwr c, emitter e, sylfaen b. Ar hyn o bryd, tiwb planar silicon yw'r triode cyffredin, sy'n cael ei rannu ymhellach yn ddau gategori: math PNP a math NPN. Mae tiwbiau aloi Germanium bellach yn brin.

Yma byddwn yn cyflwyno dull syml o ddefnyddio multimedr i fesur traed triawd y triawd.

 

1, darganfyddwch y polyn sylfaen, pennwch y math tiwb (NPN neu PNP)

Ar gyfer triode math PNP, polion C ac E yw polion positif y ddwy gyffordd PN y tu mewn iddo, a'r polyn B yw ei bolyn negyddol cyffredin, tra bod y triawd math NPN i'r gwrthwyneb, polion C ac E yw'r polion negyddol o'r ddwy gyffordd PN, a'r polyn B yw ei polyn positif cyffredin, ac mae'n hawdd pennu'r polyn sylfaen a'r math o tiwb yn ôl nodweddion ymwrthedd positif cyffordd PN yn fach, ac mae'r gwrthiant gwrthdroi yn fawr . Y dull penodol yw:

Defnyddiwch amlfesurydd deialu ar offer R × 100 neu R × 1K. Pen coch cyffwrdd pin, ac yna defnyddiwch y pen du yn gysylltiedig â'r ddau pinnau eraill, fel y gallwch gael tri grŵp (pob grŵp o ddau) darlleniadau, pan fydd un o'r ddwy set o ddarlleniadau yn y gwerth ymwrthedd isel o ychydig gannoedd o ohms, os yw'r pinnau cyhoeddus yn y pen coch, y cyswllt yw'r sylfaen, math y transistor o'r math PNP; os mai'r pinnau cyhoeddus yw'r pen du, y cyswllt yw'r sylfaen, math y transistor o'r math NPN.

 

2, nodwch yr allyrrydd a'r casglwr

Gan fod y cynhyrchiad triode, dwy ardal P neu ddwy ardal N o fewn y crynodiad dopio yn wahanol, os yw'r mwyhadur cywir, mae gan y triode ymhelaethiad cryf, ac i'r gwrthwyneb, gyda'r mwyhadur anghywir, y mwyhadur mwyhadur o nifer fawr o wan iawn , felly mae'r triode gyda'r mwyhadur cywir, y triode gyda'r mwyhadur anghywir, bydd gwahaniaeth mawr.

 

Ar ôl nodi'r math tiwb a sylfaen b, gellir nodi'r casglwr a'r allyrrydd yn y ffordd ganlynol. Deialwch y multimedr trwy wasgu R x 1K. Pinsiwch y gwaelod a'r pin arall ynghyd â'r ddwy law (byddwch yn ofalus i beidio â gadael i'r electrodau ddod i gysylltiad uniongyrchol). Er mwyn gwneud y ffenomen mesur yn amlwg, gwlychu'ch bysedd, pinsiwch y pen coch gyda'r gwaelod, pinsiwch y pen du gyda'r pin arall, a rhowch sylw i faint swing dde'r pwyntydd multimedr. Nesaf, addaswch y ddau bin, ailadroddwch y camau mesur uchod. Cymharwch osgled y siglen nodwydd yn y ddau fesuriad a darganfyddwch y rhan sydd â siglen fwy. Ar gyfer transistorau PNP-math, cysylltwch y pen du i'r pin a'r pinsiad sylfaen gyda'i gilydd, ailadroddwch yr arbrofion uchod i ddarganfod lle mae osgled swing nodwydd yn fwy, ar gyfer math NPN, mae'r pen du wedi'i gysylltu â'r sylfaen, y coch Mae pen wedi'i gysylltu â'r allyrrydd. Yn y math PNP, mae'r pen coch wedi'i gysylltu â'r casglwr, mae'r pen du wedi'i gysylltu â'r allyrrydd.

 

Egwyddor y dull adnabod hwn yw defnyddio'r batri yn y multimedr, mae'r foltedd yn cael ei ychwanegu at gasglwr ac allyrrydd y transistor, fel bod ganddo'r gallu i ymhelaethu. Pinsiwch ei sylfaen â llaw, casglwr, sy'n hafal i'r gwrthiant trwy'r llaw i'r triode ynghyd â cherrynt gogwydd positif, fel ei fod yn dargludo, ar yr adeg hon mae maint y nodwydd mesurydd sy'n siglo i'r dde yn adlewyrchu ei allu ymhelaethu, felly gallwch chi yn gywir pennu lleoliad yr allyrrydd, casglwr.