Fel un o'r dyfeisiau mwyaf sylfaenol yn y maes lled-ddargludyddion, defnyddir MOSFET yn eang mewn dylunio IC a chymwysiadau cylched lefel bwrdd. Felly faint ydych chi'n ei wybod am baramedrau amrywiol MOSFET? Fel arbenigwr mewn MOSFETs foltedd canolig ac isel,Olukeyyn egluro i chi yn fanwl baramedrau amrywiol MOSFETs!
VDSS uchafswm draen-ffynhonnell wrthsefyll foltedd
Y foltedd ffynhonnell draen pan fydd y cerrynt draen sy'n llifo yn cyrraedd gwerth penodol (ymchwydd yn sydyn) o dan gylched byr tymheredd a ffynhonnell giât benodol. Gelwir y foltedd ffynhonnell draen yn yr achos hwn hefyd yn foltedd chwalu eirlithriadau. Mae gan VDSS gyfernod tymheredd positif. Ar -50 ° C, mae VDSS tua 90% o hynny ar 25 ° C. Oherwydd y lwfans ar ôl fel arfer mewn cynhyrchu arferol, mae foltedd chwalu eirlithriad oMOSFETbob amser yn fwy na'r foltedd graddedig enwol.
Nodyn atgoffa cynnes Olukey: Er mwyn sicrhau dibynadwyedd cynnyrch, o dan yr amodau gwaith gwaethaf, argymhellir na ddylai'r foltedd gweithio fod yn fwy na 80 ~ 90% o'r gwerth graddedig.
VGSS uchafswm porth-ffynhonnell wrthsefyll foltedd
Mae'n cyfeirio at y gwerth VGS pan fydd y cerrynt gwrthdro rhwng y giât a'r ffynhonnell yn dechrau cynyddu'n sydyn. Bydd mynd y tu hwnt i'r gwerth foltedd hwn yn achosi dadansoddiad dielectrig o'r haen giât ocsid, sy'n chwalfa ddinistriol ac anwrthdroadwy.
ID uchafswm draen-ffynhonnell cerrynt
Mae'n cyfeirio at yr uchafswm cerrynt a ganiateir i basio rhwng y draen a'r ffynhonnell pan fydd y transistor effaith maes yn gweithredu'n normal. Ni ddylai cerrynt gweithredu'r MOSFET fod yn fwy na'r ID. Bydd y paramedr hwn yn dirywio wrth i dymheredd y gyffordd gynyddu.
IDM uchafswm pwls draen-ffynhonnell cerrynt
Yn adlewyrchu lefel y cerrynt pwls y gall y ddyfais ei drin. Bydd y paramedr hwn yn gostwng wrth i dymheredd y gyffordd gynyddu. Os yw'r paramedr hwn yn rhy fach, efallai y bydd y system mewn perygl o gael ei thorri i lawr gan gerrynt yn ystod profion OCP.
PD afradu pŵer uchaf
Mae'n cyfeirio at yr uchafswm afradu pŵer ffynhonnell draen a ganiateir heb ddirywio perfformiad y transistor effaith maes. Pan gaiff ei ddefnyddio, dylai defnydd pŵer gwirioneddol y transistor effaith maes fod yn llai na defnydd y PDSM a gadael ymyl penodol. Yn gyffredinol, mae'r paramedr hwn yn digalonni wrth i dymheredd y gyffordd gynyddu.
Tymheredd gweithredu TJ, TSTG ac ystod tymheredd yr amgylchedd storio
Mae'r ddau baramedr hyn yn graddnodi'r ystod tymheredd cyffordd a ganiateir gan amgylchedd gweithredu a storio'r ddyfais. Mae'r amrediad tymheredd hwn wedi'i osod i fodloni gofynion bywyd gweithredu lleiaf y ddyfais. Os sicrheir bod y ddyfais yn gweithredu o fewn yr ystod tymheredd hwn, bydd ei fywyd gwaith yn cael ei ymestyn yn fawr.
Amser post: Rhag-15-2023
