Rhaid i ddylunwyr cylchedau fod wedi ystyried cwestiwn wrth ddewis MOSFETs: A ddylent ddewis MOSFET sianel-P neu MOSFET sianel N? Fel gwneuthurwr, rhaid i chi fod eisiau i'ch cynhyrchion gystadlu â masnachwyr eraill am brisiau is, ac mae angen i chi hefyd wneud cymariaethau dro ar ôl tro. Felly sut i ddewis? Hoffai OLUKEY, gwneuthurwr MOSFET gydag 20 mlynedd o brofiad, rannu gyda chi.
Gwahaniaeth 1: nodweddion dargludiad
Nodweddion MOS sianel N yw y bydd yn troi ymlaen pan fydd Vgs yn fwy na gwerth penodol. Mae'n addas i'w ddefnyddio pan fydd y ffynhonnell wedi'i seilio (gyriant pen isel), cyn belled â bod foltedd y giât yn cyrraedd 4V neu 10V. O ran nodweddion MOS sianel P, bydd yn troi ymlaen pan fydd Vgs yn llai na gwerth penodol, sy'n addas ar gyfer sefyllfaoedd pan fo'r ffynhonnell wedi'i chysylltu â VCC (gyriant pen uchel).
Gwahaniaeth 2:MOSFETcolli newid
P'un a yw'n MOS N-sianel neu P-sianel MOS, mae yna wrthiant ar ôl iddo gael ei droi ymlaen, felly bydd y cerrynt yn defnyddio egni ar y gwrthiant hwn. Gelwir y rhan hon o'r ynni a ddefnyddir yn golled dargludiad. Bydd dewis MOSFET gydag ar-ymwrthedd bach yn lleihau'r golled dargludiad, ac mae ar-ymwrthedd MOSFETs pŵer isel presennol yn gyffredinol tua degau o filiohms, ac mae yna hefyd sawl miliohms. Yn ogystal, pan fydd MOS yn cael ei droi ymlaen ac i ffwrdd, ni ddylid ei gwblhau ar unwaith. Mae yna broses sy'n lleihau, ac mae gan y cerrynt sy'n llifo hefyd broses gynyddol.
Yn ystod y cyfnod hwn, mae colled y MOSFET yn gynnyrch foltedd a cherrynt, a elwir yn golled newid. Fel arfer mae colledion newid yn llawer mwy na cholledion dargludiad, a pho uchaf yw'r amlder newid, y mwyaf yw'r colledion. Mae cynnyrch y foltedd a'r cerrynt ar hyn o bryd y dargludiad yn fawr iawn, ac mae'r golled a achosir hefyd yn fawr iawn, felly mae byrhau'r amser newid yn lleihau'r golled yn ystod pob dargludiad; gall lleihau'r amlder newid leihau nifer y switshis fesul uned amser.
Gwahaniaeth tri: defnydd MOSFET
Mae symudedd twll MOSFET sianel P yn isel, felly pan fo maint geometrig y MOSFET a gwerth absoliwt y foltedd gweithredu yn gyfartal, mae traws-ddargludedd MOSFET sianel P yn llai na MOSFET sianel N. Yn ogystal, mae gwerth absoliwt foltedd trothwy MOSFET sianel P yn gymharol uchel, sy'n gofyn am foltedd gweithredu uwch. Mae gan P-sianel MOS siglen resymeg fawr, proses codi tâl a rhyddhau hir, a thraws-ddargludiad dyfais fach, felly mae ei gyflymder gweithredu yn is. Ar ôl ymddangosiad MOSFET sianel N, mae'r rhan fwyaf ohonynt wedi'u disodli gan MOSFET sianel N. Fodd bynnag, oherwydd bod gan MOSFET sianel-P broses syml a'i bod yn rhad, mae rhai cylchedau rheoli digidol canolig a bach yn dal i ddefnyddio technoleg cylched PMOS.
Iawn, dyna'r cyfan i'w rannu heddiw gan OLUKEY, gwneuthurwr MOSFET pecynnu. Am ragor o wybodaeth, gallwch ddod o hyd i ni ar yOLUKEYgwefan swyddogol. Mae OLUKEY wedi canolbwyntio ar MOSFET ers 20 mlynedd ac mae ei bencadlys yn Shenzhen, Talaith Guangdong, Tsieina. Yn ymwneud yn bennaf â transistorau effaith maes cyfredol uchel, MOSFETs pŵer uchel, MOSFETs pecyn mawr, MOSFETs foltedd bach, MOSFETs pecyn bach, MOSFETs cerrynt bach, tiwbiau effaith maes MOS, MOSFETs wedi'u pecynnu, MOS pŵer, pecynnau MOSFET, MOSFETs gwreiddiol, MOSFETs wedi'u pecynnu, ac ati Y prif gynnyrch asiant yw WINSOK.
Amser post: Rhag-17-2023
