MOSFETs yn cael eu defnyddio'n eang mewn cylchedau analog a digidol ac yn perthyn yn agos i'n lives.The manteision MOSFETs yw: y gylched gyrru yn gymharol simple.MOSFETs angen llawer llai o yrru ar hyn o bryd na BJTs, ac fel arfer gellir eu gyrru yn uniongyrchol gan CMOS neu casglwr agored Cylchedau gyrrwr TTL. Yn ail, mae MOSFETs yn newid yn gyflymach a gallant weithredu ar gyflymder uwch oherwydd nad oes unrhyw effaith storio tâl. Yn ogystal, nid oes gan MOSFETs fecanwaith methiant dadansoddiad eilaidd. Po uchaf yw'r tymheredd, yn aml y cryfaf yw'r dygnwch, yr isaf yw'r posibilrwydd o chwalu thermol, ond hefyd mewn ystod tymheredd ehangach i ddarparu gwell perfformiad. Defnyddiwyd MOSFETs mewn nifer fawr o geisiadau, mewn electroneg defnyddwyr, cynhyrchion diwydiannol, electromecanyddol gellir dod o hyd i offer, ffonau smart a chynhyrchion electronig digidol cludadwy eraill ym mhobman.
Dadansoddiad achos cais MOSFET
1 、 Newid cymwysiadau cyflenwad pŵer
Yn ôl diffiniad, mae'r cais hwn yn ei gwneud yn ofynnol i MOSFETs gynnal a chau i lawr o bryd i'w gilydd. Ar yr un pryd, mae yna ddwsinau o dopolegau y gellir eu defnyddio ar gyfer newid cyflenwad pŵer, megis cyflenwad pŵer DC-DC a ddefnyddir yn gyffredin yn y trawsnewidydd bwc sylfaenol yn dibynnu ar ddau MOSFET i gyflawni'r swyddogaeth newid, mae'r rhain yn switshis bob yn ail yn yr anwythydd i'w storio ynni, ac yna agor yr egni i'r llwyth. Ar hyn o bryd, mae dylunwyr yn aml yn dewis amleddau yn y cannoedd o kHz a hyd yn oed yn uwch na 1MHz, oherwydd po uchaf yw'r amlder, y lleiaf ac ysgafnach yw'r cydrannau magnetig. Mae'r ail baramedrau MOSFET pwysicaf wrth newid cyflenwadau pŵer yn cynnwys cynhwysedd allbwn, foltedd trothwy, rhwystriant giât ac egni eirlithriad.
2, ceisiadau rheoli modur
Mae cymwysiadau rheoli modur yn faes cais arall ar gyfer pŵerMOSFETau. Mae cylchedau rheoli hanner pont nodweddiadol yn defnyddio dau MOSFET (mae pont lawn yn defnyddio pedwar), ond mae'r ddau MOSFETs amser rhydd (amser marw) yn gyfartal. Ar gyfer y cais hwn, mae'r amser adfer cefn (trr) yn bwysig iawn. Wrth reoli llwyth anwythol (fel dirwyn modur), mae'r gylched reoli yn newid y MOSFET yn y gylched bont i'r cyflwr oddi ar y bont, ac ar yr adeg honno mae switsh arall yn y gylched bont yn gwrthdroi'r cerrynt dros dro trwy'r corff deuod yn y MOSFET. Felly, mae'r cerrynt yn cylchredeg eto ac yn parhau i bweru'r modur. Pan fydd y MOSFET cyntaf yn dargludo eto, rhaid tynnu'r tâl sy'n cael ei storio yn y deuod MOSFET arall a'i ollwng trwy'r MOSFET cyntaf. Mae hwn yn golled ynni, felly po fyrraf yw'r trr, y lleiaf yw'r golled.
3, ceisiadau modurol
Mae'r defnydd o MOSFETs pŵer mewn cymwysiadau modurol wedi tyfu'n gyflym dros yr 20 mlynedd diwethaf. GrymMOSFETyn cael ei ddewis oherwydd y gall wrthsefyll ffenomenau foltedd uchel dros dro a achosir gan y systemau electronig modurol cyffredin, megis colli llwyth a newidiadau sydyn yn ynni'r system, ac mae ei becyn yn syml, gan ddefnyddio pecynnau TO220 a TO247 yn bennaf. Ar yr un pryd, mae ceisiadau megis ffenestri pŵer, chwistrelliad tanwydd, sychwyr ysbeidiol, a rheolaeth mordeithio yn dod yn safonol yn raddol yn y rhan fwyaf o automobiles, ac mae angen dyfeisiau pŵer tebyg yn y dyluniad. Yn ystod y cyfnod hwn, datblygodd MOSFETs pŵer modurol wrth i moduron, solenoidau a chwistrellwyr tanwydd ddod yn fwy poblogaidd.
Mae MOSFETs a ddefnyddir mewn dyfeisiau modurol yn cwmpasu ystod eang o folteddau, cerrynt ac wrthiant. Ffurfweddiadau pontydd dyfeisiau rheoli modur gan ddefnyddio modelau foltedd chwalu 30V a 40V, defnyddir dyfeisiau 60V i yrru llwythi lle mae'n rhaid rheoli dadlwytho llwyth sydyn ac amodau cychwyn ymchwydd, ac mae angen technoleg 75V pan fydd safon y diwydiant yn cael ei symud i systemau batri 42V. Mae dyfeisiau foltedd ategol uchel yn gofyn am ddefnyddio modelau 100V i 150V, a defnyddir dyfeisiau MOSFET uwchlaw 400V mewn unedau gyrrwr injan a chylchedau rheoli ar gyfer lampau pen rhyddhau dwyster uchel (HID).
Mae ceryntau gyrru MOSFET modurol yn amrywio o 2A i dros 100A, gydag ar-wrthiant yn amrywio o 2mΩ i 100mΩ. Mae llwythi MOSFET yn cynnwys moduron, falfiau, lampau, cydrannau gwresogi, cydosodiadau piezoelectrig capacitive a chyflenwadau pŵer DC/DC. Mae amleddau newid fel arfer yn amrywio o 10kHz i 100kHz, gyda'r cafeat nad yw rheolaeth modur yn addas ar gyfer newid amleddau uwchlaw 20kHz. Gofynion mawr eraill yw perfformiad UIS, amodau gweithredu ar derfyn tymheredd y gyffordd (-40 gradd i 175 gradd, weithiau hyd at 200 gradd) a dibynadwyedd uchel y tu hwnt i fywyd y car.
4, gyrrwr lampau LED a llusernau
Wrth ddylunio lampau LED a llusernau yn aml yn defnyddio MOSFET, ar gyfer gyrrwr cyfredol cyson LED, yn gyffredinol yn defnyddio NMOS. pŵer MOSFET a transistor deubegwn fel arfer yn wahanol. Mae ei gynhwysedd giât yn gymharol fawr. Mae angen codi tâl ar y cynhwysydd cyn ei ddargludo. Pan fydd foltedd y cynhwysydd yn fwy na'r foltedd trothwy, mae'r MOSFET yn dechrau dargludo. Felly, mae'n bwysig nodi yn ystod y dyluniad bod angen i gapasiti llwyth y gyrrwr giât fod yn ddigon mawr i sicrhau bod codi tâl cynhwysedd giât cyfatebol (CEI) yn cael ei gwblhau o fewn yr amser sy'n ofynnol gan y system.
Mae cyflymder newid y MOSFET yn dibynnu'n fawr ar godi tâl a gollwng y cynhwysedd mewnbwn. Er na all y defnyddiwr leihau gwerth Cin, ond gall leihau gwerth y giât gyriant dolen ffynhonnell signal gwrthiant mewnol Rs, a thrwy hynny leihau'r dolen giât codi tâl a gollwng cysonion amser, i gyflymu'r cyflymder newid, y gallu gyrru IC cyffredinol yn cael ei adlewyrchu yn bennaf yma, rydym yn dweud bod y dewis oMOSFETyn cyfeirio at y gyriant MOSFET allanol ICs cyson-cyfredol. nid oes angen ystyried IC MOSFET adeiledig. Yn gyffredinol, bydd y MOSFET allanol yn cael ei ystyried ar gyfer ceryntau dros 1A. Er mwyn cael gallu pŵer LED mwy a mwy hyblyg, y MOSFET allanol yw'r unig ffordd i ddewis y mae angen i'r IC gael ei yrru gan y gallu priodol, a chynhwysedd mewnbwn MOSFET yw'r paramedr allweddol.
Amser postio: Ebrill-29-2024
