Beth yw swyddogaethau MOSFET?

Mae dau brif fath o MOSFET: math cyffordd hollt a math o giât wedi'i inswleiddio. Mae cyffordd MOSFET (JFET) wedi'i enwi oherwydd bod ganddi ddwy gyffordd PN, a giât wedi'i hinswleiddioMOSFET(JGFET) wedi'i enwi oherwydd bod y giât wedi'i hinswleiddio'n llwyr rhag electrodau eraill. Ar hyn o bryd, ymhlith MOSFETs giât wedi'u hinswleiddio, yr un a ddefnyddir amlaf yw MOSFET, y cyfeirir ato fel MOSFET (MOSFET metel-ocsid-lled-ddargludyddion); yn ogystal, mae MOSFETs pŵer PMOS, NMOS a VMOS, yn ogystal â'r modiwlau pŵer πMOS a VMOS a lansiwyd yn ddiweddar, ac ati.

 

Yn ôl y gwahanol ddeunyddiau lled-ddargludyddion sianel, rhennir math cyffordd a math giât inswleiddio yn sianel a sianel P. Os caiff ei rannu yn ôl modd dargludedd, gellir rhannu MOSFET yn fath disbyddu a math gwella. Mae MOSFETs cyffyrdd i gyd yn fathau o ddisbyddiad, ac mae MOSFETs giât wedi'u hinswleiddio yn fath o ddisbyddiad a math o welliant.

Gellir rhannu transistorau effaith maes yn transistorau effaith cae cyffordd a MOSFETs. Rhennir MOSFETs yn bedwar categori: math disbyddu sianel N a math o welliant; Math disbyddu sianel P a math o welliant.

 

Nodweddion MOSFET

Nodwedd MOSFET yw foltedd porth y de; sy'n rheoli ei ID cerrynt draen. O'i gymharu â transistorau deubegwn cyffredin, mae gan MOSFETs nodweddion rhwystriant mewnbwn uchel, sŵn isel, ystod ddeinamig fawr, defnydd pŵer isel, ac integreiddio hawdd.

 

Pan fydd gwerth absoliwt y foltedd gogwydd negyddol (-UG) yn cynyddu, mae'r haen disbyddu yn cynyddu, mae'r sianel yn lleihau, ac mae ID cerrynt y draen yn gostwng. Pan fydd gwerth absoliwt y foltedd gogwydd negyddol (-UG) yn gostwng, mae'r haen disbyddu yn gostwng, mae'r sianel yn cynyddu, ac mae ID cerrynt y draen yn cynyddu. Gellir gweld bod yr ID cerrynt draen yn cael ei reoli gan foltedd y giât, felly mae'r MOSFET yn ddyfais a reolir gan foltedd, hynny yw, mae'r newidiadau yn y cerrynt allbwn yn cael eu rheoli gan newidiadau yn y foltedd mewnbwn, er mwyn cyflawni ymhelaethiad a ddibenion eraill.

 

Fel transistorau deubegwn, pan ddefnyddir MOSFET mewn cylchedau fel ymhelaethu, dylid ychwanegu foltedd bias at ei giât hefyd.

Dylid cymhwyso giât y tiwb effaith cae cyffordd â foltedd gogwydd gwrthdro, hynny yw, dylid cymhwyso foltedd giât negyddol i'r tiwb sianel N a dylid gosod crafanc giât gadarnhaol ar y tiwb P-sianel. Dylai MOSFET giât wedi'i hinswleiddio wedi'i hatgyfnerthu gymhwyso foltedd giât ymlaen. Gall foltedd giât MOSFET sy'n insiwleiddio modd disbyddu fod yn bositif, yn negyddol, neu'n "0". Mae'r dulliau o ychwanegu rhagfarn yn cynnwys y dull tuedd sefydlog, y dull tuedd hunangyflenwi, y dull cyplu uniongyrchol, ac ati.

MOSFETMae ganddo lawer o baramedrau, gan gynnwys paramedrau DC, paramedrau AC a pharamedrau terfyn, ond mewn defnydd arferol, dim ond y prif baramedrau canlynol y mae angen i chi dalu sylw iddynt: dirlawn draen ffynhonnell gyfredol foltedd pinsio i ffwrdd IDSS Up, (tiwb cyffordd a modd disbyddu inswleiddio tiwb giât, neu Foltedd UT wedi'i droi ymlaen (tiwb gât wedi'i inswleiddio wedi'i atgyfnerthu), gm trawsddargludiad, foltedd chwalu'r draen-ffynhonnell BUDS, PDSM afradu pŵer mwyaf ac IDSM cerrynt traen-ffynhonnell uchaf.

(1) Cerrynt ffynhonnell draen dirlawn

Mae'r cerrynt ffynhonnell draen dirlawn IDSS yn cyfeirio at y cerrynt ffynhonnell draen pan fo foltedd y giât UGS=0 mewn cyffordd neu adwy wedi'i insiwleiddio MOSFET sy'n disbyddu.

(2) foltedd pinsio i ffwrdd

Mae'r foltedd pinsio i ffwrdd UP yn cyfeirio at foltedd y giât pan fydd y cysylltiad ffynhonnell draen wedi'i dorri i ffwrdd mewn cyffordd neu giât wedi'i hinswleiddio o fath disbyddiad MOSFET. Fel y dangosir yn 4-25 ar gyfer cromlin UGS-ID y tiwb sianel N, gellir gweld ystyr IDSS a UP yn glir.

(3) Trowch ymlaen foltedd

Mae'r foltedd troi ymlaen UT yn cyfeirio at foltedd y giât pan fydd y cysylltiad ffynhonnell draen wedi'i wneud yn y giât wedi'i inswleiddio wedi'i atgyfnerthu MOSFET. Mae Ffigur 4-27 yn dangos cromlin UGS-ID y tiwb sianel N, a gellir gweld ystyr UT yn glir.

(4) Trawsgludiad

Mae Transconductance gm yn cynrychioli gallu'r foltedd porth-ffynhonnell UGS i reoli'r ID cerrynt draen, hynny yw, cymhareb y newid yn ID cerrynt y draen i'r newid yn y foltedd porth-ffynhonnell UGS. Mae 9m yn baramedr pwysig i fesur gallu ymhelaethuMOSFET.

(5) Foltedd dadansoddi ffynhonnell draen

Mae'r foltedd dadelfennu ffynhonnell draen BUDS yn cyfeirio at y foltedd ffynhonnell draen uchaf y gall y MOSFET ei dderbyn pan fo foltedd porth-ffynhonnell UGS yn gyson. Mae hwn yn baramedr cyfyngu, a rhaid i'r foltedd gweithredu a gymhwysir i'r MOSFET fod yn llai na BUDS.

(6) Uchafswm afradu pŵer

Mae'r PDSM afradu pŵer uchaf hefyd yn baramedr terfyn, sy'n cyfeirio at yr uchafswm afradu pŵer ffynhonnell draen a ganiateir heb ddirywiad mewn perfformiad MOSFET. Pan gaiff ei ddefnyddio, dylai defnydd pŵer gwirioneddol MOSFET fod yn llai na PDSM a gadael ymyl penodol.

(7) Uchafswm cerrynt ffynhonnell draen

Mae'r IDSM cerrynt ffynhonnell draen uchaf yn baramedr terfyn arall, sy'n cyfeirio at yr uchafswm cerrynt a ganiateir i basio rhwng y draen a'r ffynhonnell pan fydd y MOSFET yn gweithredu'n normal. Ni ddylai cerrynt gweithredu'r MOSFET fod yn fwy na'r IDSM.

1. Gellir defnyddio MOSFET ar gyfer ymhelaethu. Gan fod rhwystriant mewnbwn y mwyhadur MOSFET yn uchel iawn, gall y cynhwysydd cyplu fod yn fach ac nid oes angen defnyddio cynwysyddion electrolytig.

2. Mae rhwystriant mewnbwn uchel MOSFET yn addas iawn ar gyfer trawsnewid rhwystriant. Fe'i defnyddir yn aml ar gyfer trawsnewid rhwystriant yng nghyfnod mewnbwn mwyhaduron aml-gam.

3. Gellir defnyddio MOSFET fel gwrthydd newidiol.

4. Gellir defnyddio MOSFET yn gyfleus fel ffynhonnell gyfredol gyson.

5. Gellir defnyddio MOSFET fel switsh electronig.

 

Mae gan MOSFET nodweddion gwrthiant mewnol isel, foltedd gwrthsefyll uchel, newid cyflym, ac egni eirlithriadau uchel. Y rhychwant cerrynt a ddyluniwyd yw 1A-200A a'r rhychwant foltedd yw 30V-1200V. Gallwn addasu'r paramedrau trydanol yn unol â meysydd cais y cwsmer a chynlluniau cais i wella dibynadwyedd Cynnyrch cwsmeriaid, effeithlonrwydd trosi cyffredinol a chystadleurwydd pris cynnyrch.

 

MOSFET vs Cymhariaeth Transistor

(1) Mae MOSFET yn elfen rheoli foltedd, tra bod transistor yn elfen reoli gyfredol. Pan mai dim ond ychydig o gerrynt y caniateir ei gymryd o ffynhonnell y signal, dylid defnyddio MOSFET; pan fo foltedd y signal yn isel a chaniateir i lawer iawn o gerrynt gael ei gymryd o'r ffynhonnell signal, dylid defnyddio transistor.

(2) Mae MOSFET yn defnyddio cludwyr mwyafrif i ddargludo trydan, felly fe'i gelwir yn ddyfais unipolar, tra bod gan transistorau gludwyr mwyafrif a chludwyr lleiafrifol i ddargludo trydan. Fe'i gelwir yn ddyfais deubegwn.

(3) Gellir defnyddio ffynhonnell a draen rhai MOSFETs yn gyfnewidiol, a gall foltedd y giât fod yn bositif neu'n negyddol, sy'n fwy hyblyg na transistorau.

(4) Gall MOSFET weithio o dan amodau cerrynt bach iawn a foltedd isel iawn, a gall ei broses weithgynhyrchu integreiddio llawer o MOSFETs yn hawdd ar wafer silicon. Felly, mae MOSFETs wedi'u defnyddio'n helaeth mewn cylchedau integredig ar raddfa fawr.

 

Sut i farnu ansawdd a pholaredd MOSFET

Dewiswch ystod y multimedr i RX1K, cysylltwch y plwm prawf du i'r polyn D, a'r plwm prawf coch i'r polyn S. Cyffyrddwch â'r polion G a D ar yr un pryd â'ch llaw. Dylai'r MOSFET fod mewn cyflwr dargludiad ar unwaith, hynny yw, mae nodwydd y mesurydd yn troi i safle gyda gwrthiant llai. , ac yna cyffwrdd â'r polion G a S gyda'ch dwylo, ni ddylai'r MOSFET gael unrhyw ymateb, hynny yw, ni fydd nodwydd y mesurydd yn symud yn ôl i'r sefyllfa sero. Ar yr adeg hon, dylid barnu bod y MOSFET yn tiwb da.

Dewiswch ystod y multimedr i RX1K, a mesurwch y gwrthiant rhwng tri pinnau'r MOSFET. Os yw'r gwrthiant rhwng un pin a'r ddau bin arall yn anfeidrol, ac mae'n dal i fod yn anfeidrol ar ôl cyfnewid y gwifrau prawf, yna'r pin hwn yw'r polyn G, a'r ddau bin arall yw'r polyn S a'r polyn D. Yna defnyddiwch multimedr i fesur y gwerth gwrthiant rhwng y polyn S a'r polyn D unwaith, cyfnewid y gwifrau prawf a mesur eto. Mae'r un sydd â'r gwerth gwrthiant llai yn ddu. Mae'r plwm prawf wedi'i gysylltu â'r polyn S, ac mae'r plwm prawf coch wedi'i gysylltu â'r polyn D.

 

Rhagofalon canfod a defnyddio MOSFET

1. Defnyddiwch amlfesurydd pwyntydd i adnabod y MOSFET

1) Defnyddiwch ddull mesur gwrthiant i nodi electrodau MOSFET cyffordd

Yn ôl y ffenomen bod gwerthoedd gwrthiant ymlaen a gwrthdroi cyffordd PN y MOSFET yn wahanol, gellir nodi tri electrod y gyffordd MOSFET. Dull penodol: Gosodwch y multimedr i'r ystod R × 1k, dewiswch unrhyw ddau electrod, a mesurwch eu gwerthoedd gwrthiant ymlaen a gwrthdroi yn y drefn honno. Pan fo gwerthoedd gwrthiant ymlaen a gwrthdro dau electrod yn gyfartal ac yn filoedd o ohmau, yna'r ddau electrod yw'r draen D a'r ffynhonnell S yn y drefn honno. Oherwydd ar gyfer MOSFETs cyffordd, mae'r draen a'r ffynhonnell yn gyfnewidiol, rhaid i'r electrod sy'n weddill fod yn giât G. Gallwch hefyd gyffwrdd â'r plwm prawf du (mae plwm prawf coch hefyd yn dderbyniol) o'r multimeter i unrhyw electrod, a'r plwm prawf arall i cyffwrdd â'r ddau electrod sy'n weddill yn eu trefn i fesur y gwerth gwrthiant. Pan fo'r gwerthoedd gwrthiant a fesurir ddwywaith yn gyfartal, yr electrod sydd mewn cysylltiad â'r plwm prawf du yw'r giât, a'r ddau electrod arall yw'r draen a'r ffynhonnell yn y drefn honno. Os yw'r gwerthoedd gwrthiant a fesurir ddwywaith yn fawr iawn, mae'n golygu mai cyfeiriad gwrthdro'r gyffordd PN ydyw, hynny yw, mae'r ddau yn wrthiannau gwrthdro. Gellir penderfynu ei fod yn MOSFET sianel N, ac mae'r plwm prawf du wedi'i gysylltu â'r giât; os yw'r gwerthoedd gwrthiant a fesurir ddwywaith yn Mae'r gwerthoedd gwrthiant yn fach iawn, sy'n dangos ei fod yn gyffordd ymlaen PN, hynny yw, gwrthiant ymlaen, a'i fod yn benderfynol o fod yn MOSFET sianel-P. Mae'r plwm prawf du hefyd wedi'i gysylltu â'r giât. Os na fydd y sefyllfa uchod yn digwydd, gallwch ddisodli'r gwifrau prawf du a choch a chynnal y prawf yn ôl y dull uchod nes bod y grid wedi'i nodi.

 

2) Defnyddiwch ddull mesur gwrthiant i bennu ansawdd MOSFET

Y dull mesur gwrthiant yw defnyddio multimedr i fesur y gwrthiant rhwng ffynhonnell a draen MOSFET, giât a ffynhonnell, giât a draen, giât G1 a giât G2 i benderfynu a yw'n cyfateb i'r gwerth gwrthiant a nodir yn llawlyfr MOSFET. Mae'r rheolaeth yn dda neu'n ddrwg. Dull penodol: Yn gyntaf, gosodwch y multimedr i'r ystod R × 10 neu R × 100, a mesurwch y gwrthiant rhwng y ffynhonnell S a'r draen D, fel arfer yn yr ystod o ddegau o ohms i filoedd o ohms (gellir ei weld yn y llawlyfr bod tiwbiau modelau amrywiol, eu gwerthoedd gwrthiant yn wahanol), os yw'r gwerth gwrthiant mesuredig yn fwy na'r gwerth arferol, gall fod oherwydd cyswllt mewnol gwael; os yw'r gwerth gwrthiant mesuredig yn anfeidrol, gall fod yn bolyn mewnol wedi'i dorri. Yna gosodwch y multimedr i'r ystod R × 10k, ac yna mesurwch y gwerthoedd gwrthiant rhwng giatiau G1 a G2, rhwng y giât a'r ffynhonnell, a rhwng y giât a'r draen. Pan fydd y gwerthoedd gwrthiant mesuredig i gyd yn anfeidrol, yna Mae'n golygu bod y tiwb yn normal; os yw'r gwerthoedd ymwrthedd uchod yn rhy fach neu os oes llwybr, mae'n golygu bod y tiwb yn ddrwg. Dylid nodi, os caiff y ddwy giât eu torri yn y tiwb, gellir defnyddio'r dull amnewid cydrannau i'w ganfod.

 

3) Defnyddiwch y dull mewnbwn signal anwytho i amcangyfrif gallu mwyhau MOSFET

Dull penodol: Defnyddiwch lefel R × 100 y gwrthiant amlfesurydd, cysylltwch y plwm prawf coch â'r ffynhonnell S, a'r plwm prawf du i'r draen D. Ychwanegu foltedd cyflenwad pŵer 1.5V i'r MOSFET. Ar yr adeg hon, nodir y gwerth gwrthiant rhwng y draen a'r ffynhonnell gan nodwydd y mesurydd. Yna pinsiwch giât G y MOSFET cyffordd â'ch llaw, ac ychwanegwch signal foltedd anwythol y corff dynol i'r giât. Yn y modd hwn, oherwydd effaith chwyddo'r tiwb, bydd y foltedd traen-ffynhonnell VDS a'r cerrynt draen Ib yn newid, hynny yw, bydd y gwrthiant rhwng y draen a'r ffynhonnell yn newid. O hyn, gellir arsylwi bod nodwydd y mesurydd yn siglo i raddau helaeth. Os nad yw nodwydd nodwydd y grid llaw yn newid fawr ddim, mae'n golygu bod gallu ymhelaethu'r tiwb yn wael; os yw'r nodwydd yn siglo'n fawr, mae'n golygu bod gallu ymhelaethu'r tiwb yn fawr; os nad yw'r nodwydd yn symud, mae'n golygu bod y tiwb yn ddrwg.

 

Yn ôl y dull uchod, rydym yn defnyddio graddfa R × 100 y multimedr i fesur cyffordd MOSFET 3DJ2F. Yn gyntaf, agorwch electrod G y tiwb a mesurwch 600 Ω gwrthiant ffynhonnell draen RDS. Ar ôl dal yr electrod G gyda'ch llaw, mae nodwydd y mesurydd yn troi i'r chwith. Yr ymwrthedd RDS a nodir yw 12kΩ. Os yw nodwydd y mesurydd yn siglo'n fwy, mae'n golygu bod y tiwb yn dda. , ac mae ganddo fwy o allu ymhelaethu.

 

Mae rhai pwyntiau i'w nodi wrth ddefnyddio'r dull hwn: Yn gyntaf, wrth brofi'r MOSFET a dal y giât â'ch llaw, gall y nodwydd amlfesurydd swingio i'r dde (mae'r gwerth gwrthiant yn gostwng) neu i'r chwith (mae'r gwerth gwrthiant yn cynyddu) . Mae hyn oherwydd y ffaith bod y foltedd AC a achosir gan y corff dynol yn gymharol uchel, ac efallai y bydd gan wahanol MOSFETs wahanol bwyntiau gweithio pan gânt eu mesur gydag ystod gwrthiant (naill ai yn gweithredu yn y parth dirlawn neu'r parth annirlawn). Mae profion wedi dangos bod RDS y rhan fwyaf o diwbiau yn cynyddu. Hynny yw, mae llaw'r oriawr yn siglo i'r chwith; mae'r RDS o ychydig o diwbiau yn lleihau, gan achosi'r llaw gwylio i swingio i'r dde.

Ond ni waeth i ba gyfeiriad y mae'r llaw gwylio yn siglo, cyn belled â bod y llaw gwylio yn siglo'n fwy, mae'n golygu bod gan y tiwb fwy o allu ymhelaethu. Yn ail, mae'r dull hwn hefyd yn gweithio ar gyfer MOSFETs. Ond dylid nodi bod gwrthiant mewnbwn MOSFET yn uchel, ac ni ddylai'r foltedd anwythol a ganiateir ar gyfer giât G fod yn rhy uchel, felly peidiwch â phinsio'r giât yn uniongyrchol â'ch dwylo. Rhaid i chi ddefnyddio handlen inswleiddio'r sgriwdreifer i gyffwrdd â'r giât â gwialen fetel. , er mwyn atal y tâl a achosir gan y corff dynol rhag cael ei ychwanegu'n uniongyrchol at y giât, gan achosi i'r giât chwalu. Yn drydydd, ar ôl pob mesuriad, dylai'r polion GS fod yn gylched byr. Mae hyn oherwydd y bydd ychydig bach o wefr ar gynhwysydd cyffordd GS, sy'n cronni'r foltedd VGS. O ganlyniad, efallai na fydd dwylo'r mesurydd yn symud wrth fesur eto. Yr unig ffordd i ryddhau'r wefr yw cylched byr y gwefr rhwng yr electrodau GS.

4) Defnyddiwch ddull mesur gwrthiant i nodi MOSFETs heb eu marcio

Yn gyntaf, defnyddiwch y dull o fesur gwrthiant i ddod o hyd i ddau binnau â gwerthoedd gwrthiant, sef y ffynhonnell S a'r draen D. Y ddau bin sy'n weddill yw'r giât gyntaf G1 a'r ail giât G2. Ysgrifennwch y gwerth gwrthiant rhwng y ffynhonnell S a'r draen D wedi'i fesur â dau lid prawf yn gyntaf. Newidiwch y gwifrau prawf a mesurwch eto. Ysgrifennwch y gwerth gwrthiant mesuredig. Yr un sydd â'r gwerth gwrthiant mwy wedi'i fesur ddwywaith yw'r plwm prawf du. Yr electrod cysylltiedig yw'r draen D; mae'r plwm prawf coch wedi'i gysylltu â'r ffynhonnell S. Gellir hefyd wirio'r polion S a D a nodir gan y dull hwn trwy amcangyfrif gallu ymhelaethu'r tiwb. Hynny yw, mae'r plwm prawf du gyda gallu ymhelaethu mawr wedi'i gysylltu â'r polyn D; mae'r plwm prawf coch wedi'i gysylltu â'r ddaear i'r polyn 8. Dylai canlyniadau profion y ddau ddull fod yr un peth. Ar ôl pennu safleoedd draen D a ffynhonnell S, gosodwch y gylched yn ôl safleoedd cyfatebol D a S. Yn gyffredinol, bydd G1 a G2 hefyd yn cael eu halinio mewn trefn. Mae hyn yn pennu lleoliad y ddwy giât G1 a G2. Mae hyn yn pennu trefn y pinnau D, S, G1, a G2.

5) Defnyddiwch y newid mewn gwerth gwrthiant gwrthdroi i bennu maint y trawsgludiad

Wrth fesur perfformiad traws-ddargludiad MOSFET gwella sianel VMOSN, gallwch ddefnyddio'r plwm prawf coch i gysylltu'r ffynhonnell S a'r plwm prawf du â'r draen D. Mae hyn yn cyfateb i ychwanegu foltedd gwrthdro rhwng y ffynhonnell a'r draen. Ar yr adeg hon, mae'r giât yn gylched agored, ac mae gwerth gwrthiant gwrthdroi'r tiwb yn ansefydlog iawn. Dewiswch ystod ohm y multimedr i'r ystod gwrthiant uchel o R×10kΩ. Ar yr adeg hon, mae'r foltedd yn y mesurydd yn uwch. Pan fyddwch chi'n cyffwrdd â'r grid G ​​â'ch llaw, fe welwch fod gwerth gwrthiant gwrthdroi'r tiwb yn newid yn sylweddol. Po fwyaf yw'r newid, yr uchaf yw gwerth trawsgludiant y tiwb; os yw traws-ddargludedd y tiwb dan brawf yn fach iawn, defnyddiwch y dull hwn i fesur Pryd , nid yw'r gwrthiant gwrthdroi yn newid fawr ddim.

 

Rhagofalon ar gyfer defnyddio MOSFET

1) Er mwyn defnyddio MOSFET yn ddiogel, ni ellir mynd y tu hwnt i werthoedd terfyn paramedrau megis pŵer gwasgaredig y tiwb, y foltedd ffynhonnell draen uchaf, y foltedd ffynhonnell giât uchaf, a'r cerrynt uchaf yn y dyluniad cylched.

2) Wrth ddefnyddio gwahanol fathau o MOSFETs, rhaid eu cysylltu â'r gylched yn gwbl unol â'r gogwydd gofynnol, a rhaid arsylwi polaredd y gogwydd MOSFET. Er enghraifft, mae cyffordd PN rhwng ffynhonnell giât a draen MOSFET cyffordd, ac ni all giât tiwb sianel N fod â thuedd gadarnhaol; ni all giât tiwb sianel P fod â thuedd negyddol, ac ati.

3) Oherwydd bod rhwystriant mewnbwn MOSFET yn hynod o uchel, rhaid i'r pinnau fod yn gylched byr wrth eu cludo a'u storio, a rhaid eu pecynnu â gorchudd metel i atal potensial allanol rhag torri i lawr. Yn benodol, nodwch na ellir gosod MOSFET mewn blwch plastig. Mae'n well ei storio mewn blwch metel. Ar yr un pryd, rhowch sylw i gadw'r tiwb yn atal lleithder.

4) Er mwyn atal methiant anwythol giât MOSFET, rhaid i bob offeryn prawf, meinciau gwaith, heyrn sodro, a chylchedau eu hunain fod â sylfaen dda; wrth sodro'r pinnau, sodro'r ffynhonnell yn gyntaf; cyn cysylltu â'r gylched, y tiwb Dylai pob pen plwm fod yn gylched byr i'w gilydd, a dylid tynnu'r deunydd cylched byr ar ôl cwblhau'r weldio; wrth dynnu'r tiwb o'r rac cydran, dylid defnyddio dulliau priodol i sicrhau bod y corff dynol wedi'i seilio, megis defnyddio cylch sylfaen; wrth gwrs, os uwch Mae haearn sodro gwresogi nwy yn fwy cyfleus ar gyfer weldio MOSFETs ac yn sicrhau diogelwch; ni ddylai'r tiwb gael ei fewnosod na'i dynnu allan o'r gylched cyn i'r pŵer gael ei ddiffodd. Rhaid rhoi sylw i'r mesurau diogelwch uchod wrth ddefnyddio MOSFET.

5) Wrth osod MOSFET, rhowch sylw i'r sefyllfa osod a cheisiwch osgoi bod yn agos at yr elfen wresogi; er mwyn atal dirgryniad y ffitiadau pibell, mae angen tynhau cragen y tiwb; pan fydd y gwifrau pin yn cael eu plygu, dylent fod 5 mm yn fwy na maint y gwraidd i sicrhau bod y Osgoi plygu'r pinnau ac achosi gollyngiadau aer.

Ar gyfer MOSFETs pŵer, mae angen amodau afradu gwres da. Oherwydd bod MOSFETs pŵer yn cael eu defnyddio o dan amodau llwyth uchel, rhaid dylunio digon o sinciau gwres i sicrhau nad yw tymheredd yr achos yn fwy na'r gwerth graddedig fel y gall y ddyfais weithio'n sefydlog ac yn ddibynadwy am amser hir.

Yn fyr, er mwyn sicrhau defnydd diogel o MOSFETs, mae yna lawer o bethau i roi sylw iddynt, ac mae yna hefyd fesurau diogelwch amrywiol i'w cymryd. Rhaid i'r mwyafrif o bersonél proffesiynol a thechnegol, yn enwedig mwyafrif y selogion electronig, symud ymlaen yn seiliedig ar eu sefyllfa wirioneddol a chymryd ffyrdd ymarferol o ddefnyddio MOSFETs yn ddiogel ac yn effeithiol.