MOSFETauyn cael eu defnyddio'n eang. Nawr mae rhai cylchedau integredig ar raddfa fawr yn cael eu defnyddio MOSFET, mae'r swyddogaeth sylfaenol a transistor BJT, yn newid ac yn ymhelaethu. Yn y bôn gellir defnyddio triawd BJT lle gellir ei ddefnyddio, ac mewn rhai mannau mae'r perfformiad yn well na'r triawd.
Ymhelaethu ar MOSFET
MOSFET a BJT triode, er bod y ddau ddyfais amplifier lled-ddargludyddion, ond mwy o fanteision nag y triode, megis ymwrthedd mewnbwn uchel, y ffynhonnell signal bron dim presennol, sy'n ffafriol i sefydlogrwydd y signal mewnbwn. Mae'n ddyfais ddelfrydol fel mwyhadur cam mewnbwn, ac mae ganddo hefyd fanteision sŵn isel a sefydlogrwydd tymheredd da. Fe'i defnyddir yn aml fel rhag-fwyhadur ar gyfer cylchedau mwyhau sain. Fodd bynnag, oherwydd ei fod yn ddyfais cerrynt a reolir gan foltedd, mae'r cerrynt draen yn cael ei reoli gan y foltedd rhwng ffynhonnell y giât, yn gyffredinol nid yw cyfernod ymhelaethu traws-ddargludiad amledd isel yn fawr, felly mae'r gallu ymhelaethu yn wael.
Effaith newid MOSFET
MOSFET a ddefnyddir fel switsh electronig, oherwydd dim ond dibynnu ar dargludedd polyon, nid oes unrhyw fath fel BJT triode oherwydd y cerrynt sylfaen a'r effaith storio tâl, felly mae cyflymder newid MOSFET yn gyflymach na'r triawd, fel tiwb newid. yn cael ei ddefnyddio'n aml ar gyfer achlysuron uchel-cyfredol amledd uchel, megis newid cyflenwadau pŵer a ddefnyddir yn y MOSFET yn y cyflwr uchel-amledd uchel-gyfredol y gwaith. O'i gymharu â switshis triawd BJT, gall switshis MOSFET weithredu ar folteddau a cherhyntau llai, ac maent yn haws eu hintegreiddio ar wafferi silicon, felly fe'u defnyddir yn eang mewn cylchedau integredig ar raddfa fawr.
Beth yw'r rhagofalon wrth ddefnyddioMOSFETau?
Mae MOSFETs yn fwy cain na thriawdau a gellir eu niweidio'n hawdd trwy ddefnydd amhriodol, felly dylid cymryd gofal arbennig wrth eu defnyddio.
(1) Mae angen dewis y math priodol o MOSFET ar gyfer gwahanol achlysuron defnydd.
(2) Mae gan MOSFETs, yn enwedig MOSFETs giât wedi'u hinswleiddio, rwystr mewnbwn uchel, a dylid eu byrhau i bob electrod pan nad ydynt yn cael eu defnyddio i osgoi difrod i'r tiwb oherwydd tâl anwythiad giât.
(3) Ni ellir gwrthdroi foltedd ffynhonnell giât MOSFETs cyffordd, ond gellir ei arbed yn y cyflwr cylched agored.
(4) Er mwyn cynnal rhwystriant mewnbwn uchel y MOSFET, dylid amddiffyn y tiwb rhag lleithder a'i gadw'n sych yn yr amgylchedd defnydd.
(5) Mae angen gosod gwrthrychau wedi'u gwefru (fel haearn sodro, offerynnau prawf, ac ati) sydd mewn cysylltiad â'r MOSFET er mwyn osgoi difrod i'r tiwb. Enwedig pan weldio inswleiddio giât MOSFET, yn ôl y ffynhonnell - giât trefn ddilyniannol o weldio, mae'n well i weldio ar ôl pŵer i ffwrdd. Mae pŵer yr haearn sodro i 15 ~ 30W yn briodol, ni ddylai amser weldio fod yn fwy na 10 eiliad.
(6) ni ellir profi MOSFET giât wedi'i inswleiddio â multimedr, dim ond gyda profwr y gellir ei brofi, a dim ond ar ôl mynediad at y profwr i gael gwared ar wifrau cylched byr yr electrodau. Pan gaiff ei dynnu, mae angen cylched fer o'r electrodau cyn eu tynnu er mwyn osgoi bargodiad gât.
(7) Wrth ddefnyddioMOSFETaugyda gwifrau swbstrad, dylai gwifrau'r swbstrad gael eu cysylltu'n iawn.
Amser post: Ebrill-23-2024
