Wrth ddylunio cyflenwad pŵer newid neu gylched gyriant modur gan ddefnyddioMOSFETau, mae ffactorau megis yr ar-ymwrthedd, foltedd uchaf, ac uchafswm cyfredol y MOS yn cael eu hystyried yn gyffredinol.
Mae tiwbiau MOSFET yn fath o FET y gellir eu ffugio naill ai fel math o welliant neu ddisbyddiad, P-sianel neu sianel N ar gyfer cyfanswm o 4 math. Yn gyffredinol, defnyddir NMOSFETs gwella a PMOSFETs gwella, a sonnir am y ddau hyn fel arfer.
Defnyddir y ddau hyn yn fwy cyffredin yw NMOS. y rheswm yw bod y gwrthiant dargludol yn fach ac yn hawdd i'w weithgynhyrchu. Felly, defnyddir NMOS fel arfer wrth newid cyflenwad pŵer a chymwysiadau gyriant modur.
Y tu mewn i'r MOSFET, gosodir thyristor rhwng y draen a'r ffynhonnell, sy'n bwysig iawn wrth yrru llwythi anwythol fel moduron, ac mae'n bresennol mewn un MOSFET yn unig, nid fel arfer mewn sglodion cylched integredig.
Mae cynhwysedd parasitig yn bodoli rhwng y tri phin yn y MOSFET, nid bod ei angen arnom, ond oherwydd cyfyngiadau'r broses weithgynhyrchu. Mae presenoldeb cynhwysedd parasitig yn ei gwneud hi'n fwy beichus wrth ddylunio neu ddewis cylched gyrrwr, ond ni ellir ei osgoi.
Y prif baramedrau oMOSFET
1, foltedd agored VT
Foltedd agored (a elwir hefyd yn foltedd trothwy): fel bod y foltedd giât sydd ei angen i ddechrau ffurfio sianel dargludol rhwng y ffynhonnell S a draen D; safon N-sianel MOSFET, VT yw tua 3 ~ 6V; trwy welliannau proses, gellir lleihau gwerth MOSFET VT i 2 ~ 3V.
2, ymwrthedd mewnbwn DC RGS
Cymhareb y foltedd a ychwanegir rhwng polyn ffynhonnell y giât a cherrynt y giât Weithiau mynegir y nodwedd hon gan gerrynt y giât sy'n llifo drwy'r giât, gall RGS y MOSFET fod yn fwy na 1010Ω yn hawdd.
3. Draenio ffynhonnell dadansoddiad foltedd BVDS.
O dan gyflwr VGS = 0 (gwell), yn y broses o gynyddu'r foltedd ffynhonnell draen, mae ID yn cynyddu'n sydyn pan elwir y VDS yn foltedd dadansoddi ffynhonnell draen BVDS, mae ID yn cynyddu'n sydyn oherwydd dau reswm: (1) eirlithriad dadansoddiad o'r haen disbyddu ger y draen, (2) dadansoddiad treiddiad rhwng y draen a'r polion ffynhonnell, mae rhai MOSFETs, sydd â hyd ffos byrrach, yn cynyddu'r VDS fel bod yr haen ddraenio yn y rhanbarth draen yn cael ei ehangu i'r rhanbarth ffynhonnell, gwneud hyd y Sianel yn sero, hynny yw, i gynhyrchu treiddiad traen-ffynhonnell, treiddiad, bydd y rhan fwyaf o'r cludwyr yn y rhanbarth ffynhonnell yn cael eu denu'n uniongyrchol gan faes trydan yr haen disbyddu i'r rhanbarth draen, gan arwain at ID mawr .
4, ffynhonnell gât dadansoddiad foltedd BVGS
Pan gynyddir foltedd y giât, gelwir y VGS pan gynyddir yr IG o sero yn foltedd dadansoddi ffynhonnell giât BVGS.
5、Traws-ddargludedd amledd isel
Pan fo VDS yn werth sefydlog, gelwir cymhareb micro-amrywiad cerrynt y draen i ficro-amrywiad foltedd ffynhonnell y giât sy'n achosi'r newid yn draws-ddargludedd, sy'n adlewyrchu gallu foltedd ffynhonnell y giât i reoli'r cerrynt draen, ac mae'n paramedr pwysig sy'n nodweddu gallu ymhelaethu yMOSFET.
6, ar-ymwrthedd RON
Mae RON ar-ymwrthedd yn dangos effaith VDS ar ID, yw gwrthdro llethr llinell tangiad y nodweddion draen ar bwynt penodol, yn y rhanbarth dirlawnder, nid yw ID bron yn newid gyda'r VDS, mae RON yn fawr iawn gwerth, yn gyffredinol yn y degau o kilo-Ohms i gannoedd o kilo-Ohms, oherwydd mewn cylchedau digidol, MOSFETs yn aml yn gweithio yn y cyflwr y dargludol VDS = 0, felly ar y pwynt hwn, gall y RON ar-ymwrthedd yn cael ei frasamcanu gan y tarddiad y RON i fras, ar gyfer MOSFET cyffredinol, gwerth RON o fewn ychydig gannoedd o ohms.
7, cynhwysedd rhyng-begynol
Mae cynhwysedd rhyngbegynol yn bodoli rhwng y tri electrod: cynhwysedd ffynhonnell giât CGS, cynhwysedd draen giât CGD a chynhwysedd ffynhonnell draen CDS-CGS a CGD tua 1 ~ 3pF, mae CDS tua 0.1 ~ 1pF.
8、Ffactor sŵn amledd isel
Mae sŵn yn cael ei achosi gan afreoleidd-dra yn symudiad cludwyr sydd ar y gweill. Oherwydd ei bresenoldeb, mae amrywiadau foltedd neu gerrynt afreolaidd yn digwydd yn yr allbwn hyd yn oed os nad oes signal yn cael ei ddanfon gan y mwyhadur. Mae perfformiad sŵn fel arfer yn cael ei fynegi yn nhermau'r ffactor sŵn NF. Desibel (dB) yw'r uned. Y lleiaf yw'r gwerth, y lleiaf o sŵn y mae'r tiwb yn ei gynhyrchu. Y ffactor sŵn amledd isel yw'r ffactor sŵn a fesurir yn yr ystod amledd isel. Mae ffactor sŵn tiwb effaith maes tua ychydig dB, yn llai na thriawd deubegwn.
Amser post: Ebrill-24-2024
