Beth yw PMOSFET, wyddoch chi?

I. Strwythur sylfaenol ac egwyddor weithio

1. Strwythur sylfaenol

Mae gan PMOSFETs swbstradau math n a sianeli p, ac mae eu strwythur yn bennaf yn cynnwys giât (G), ffynhonnell (S) a draen (D). Ar y swbstrad silicon n-math, mae dau ranbarth P + sy'n gwasanaethu fel ffynhonnell a draen, yn y drefn honno, ac maent wedi'u cysylltu â'i gilydd trwy'r sianel-p. Mae'r giât wedi'i lleoli uwchben y sianel ac wedi'i hynysu o'r sianel gan haen inswleiddio metel ocsid.

2. Egwyddorion gweithredu

Mae PMOSFETs yn gweithredu'n debyg i NMOSFETs, ond gyda'r math arall o gludwyr. Mewn PMOSFET, tyllau yw'r prif gludwyr. Pan fydd foltedd negyddol yn cael ei roi ar y giât mewn perthynas â'r ffynhonnell, mae haen gwrthdro math p yn cael ei ffurfio ar wyneb y silicon n-math o dan y giât, sy'n gweithredu fel ffos sy'n cysylltu'r ffynhonnell a'r draen. Mae newid foltedd y giât yn newid dwysedd y tyllau yn y sianel, a thrwy hynny reoli dargludedd y sianel. Pan fo foltedd y giât yn ddigon isel, mae dwysedd y tyllau yn y sianel yn cyrraedd lefel ddigon uchel i ganiatáu dargludiad rhwng y ffynhonnell a'r draen; i'r gwrthwyneb, mae'r sianel yn torri i ffwrdd.

II. Nodweddion a chymwysiadau

1. Nodweddion

Symudedd Isel: Mae gan transistorau MOS sianel-P symudedd twll cymharol isel, felly mae traws-ddargludedd transistorau PMOS yn llai na thrawsyriant transistorau NMOS o dan yr un geometreg a foltedd gweithredu.

Yn addas ar gyfer cymwysiadau cyflymder isel, amledd isel: Oherwydd y symudedd is, mae cylchedau integredig PMOS yn fwy addas ar gyfer cymwysiadau mewn ardaloedd cyflymder isel, amledd isel.

Amodau dargludiad: Mae amodau dargludiad PMOSFETs gyferbyn â NMOSFETs, sy'n gofyn am foltedd giât yn is na'r foltedd ffynhonnell.

 

1. Ceisiadau

Newid Ochr Uchel: Yn nodweddiadol, defnyddir PMOSFETs mewn ffurfweddiadau newid ochr uchel lle mae'r ffynhonnell wedi'i chysylltu â'r cyflenwad positif a'r draen wedi'i gysylltu â phen positif y llwyth. Pan fydd y PMOSFET yn dargludo, mae'n cysylltu pen positif y llwyth â'r cyflenwad positif, gan ganiatáu i'r cerrynt lifo drwy'r llwyth. Mae'r cyfluniad hwn yn gyffredin iawn mewn meysydd megis rheoli pŵer a gyriannau modur.

Cylchedau Diogelu Gwrthdroi: Gellir defnyddio PMOSFETs hefyd mewn cylchedau amddiffyn gwrthdro i atal difrod i'r gylched a achosir gan gyflenwad pŵer gwrthdroi neu ôl-lifiad cerrynt llwyth.

III. Dyluniad ac ystyriaethau

1. RHEOLAETH FOLTEDD GIAT

Wrth ddylunio cylchedau PMOSFET, mae angen rheolaeth fanwl gywir ar foltedd y giât i sicrhau gweithrediad cywir. Gan fod amodau dargludiad PMOSFETs gyferbyn â rhai NMOSFETs, mae angen talu sylw i begynedd a maint foltedd y giât.

2. cysylltiad llwyth

Wrth gysylltu'r llwyth, mae angen talu sylw i bolaredd y llwyth i sicrhau bod y cerrynt yn llifo'n gywir trwy'r PMOSFET, ac effaith y llwyth ar berfformiad y PMOSFET, megis gostyngiad mewn foltedd, defnydd pŵer, ac ati. , mae angen ei ystyried hefyd.

3. Sefydlogrwydd tymheredd

Mae tymheredd yn effeithio'n fawr ar berfformiad PMOSFETs, felly mae angen ystyried effaith tymheredd ar berfformiad PMOSFETs wrth ddylunio cylchedau, ac mae angen cymryd mesurau cyfatebol i wella sefydlogrwydd tymheredd y cylchedau.

4. Cylchedau amddiffyn

Er mwyn atal PMOSFETs rhag cael eu difrodi gan orlif a gor-foltedd yn ystod y llawdriniaeth, mae angen gosod cylchedau amddiffyn fel amddiffyniad gorlif ac amddiffyn gorfoltedd yn y gylched. Gall y cylchedau amddiffyn hyn amddiffyn y PMOSFET yn effeithiol ac ymestyn ei oes gwasanaeth.

 

I grynhoi, mae PMOSFET yn fath o MOSFET gyda strwythur arbennig ac egwyddor weithio. Mae ei symudedd isel a'i addasrwydd ar gyfer cymwysiadau cyflymder isel, amledd isel yn ei gwneud yn berthnasol yn eang mewn meysydd penodol. Wrth ddylunio cylchedau PMOSFET, mae angen talu sylw i reolaeth foltedd giât, cysylltiadau llwyth, sefydlogrwydd tymheredd a chylchedau amddiffyn i sicrhau gweithrediad priodol a dibynadwyedd y gylched.