Pecyn Bach MOSFETs

Pan fydd y MOSFET wedi'i gysylltu â'r ddaear bws a llwyth, defnyddir switsh ochr foltedd uchel. Yn aml P-sianelMOSFETauyn cael eu defnyddio yn y topoleg hon, eto ar gyfer ystyriaethau gyriant foltedd. Pennu'r raddfa gyfredol Yr ail gam yw dewis gradd gyfredol y MOSFET. Yn dibynnu ar y strwythur cylched, dylai'r sgôr gyfredol hon fod yr uchafswm cerrynt y gall y llwyth ei wrthsefyll o dan bob amgylchiad.

Yn debyg i achos foltedd, rhaid i'r dylunydd sicrhau bod y dewisMOSFETyn gallu gwrthsefyll y sgôr gyfredol hon, hyd yn oed pan fydd y system yn cynhyrchu ceryntau pigyn. Y ddau achos presennol a ystyrir yw modd parhaus a phigau curiad y galon. Cyfeirir at y paramedr hwn gan DAFLEN DDATA FDN304P, lle mae'r MOSFET mewn cyflwr cyson yn y modd dargludiad parhaus, pan fydd cerrynt yn llifo'n barhaus trwy'r ddyfais.

Mae pigau curiad y galon yn digwydd pan fo ymchwydd mawr (neu bigyn) o gerrynt yn llifo drwy'r ddyfais. Unwaith y bydd y cerrynt uchaf o dan yr amodau hyn wedi'i bennu, yn syml, mae'n fater o ddewis dyfais yn uniongyrchol a all wrthsefyll y cerrynt mwyaf hwn.

Ar ôl dewis y cerrynt graddedig, rhaid cyfrifo'r golled dargludiad hefyd. Yn ymarferol, nid yw MOSFETs yn ddyfeisiau delfrydol oherwydd bod pŵer yn cael ei golli yn ystod y broses ddargludol, a elwir yn golled dargludiad.

Mae'r MOSFET yn gweithredu fel gwrthydd newidiol pan fydd "ymlaen", fel y pennir gan RDS(ON) y ddyfais, ac mae'n amrywio'n sylweddol gyda thymheredd. Gellir cyfrifo afradu pŵer y ddyfais o Iload2 x RDS (ON), a chan fod yr ar-ymwrthedd yn amrywio gyda thymheredd, mae'r gwasgariad pŵer yn amrywio'n gymesur. Po uchaf yw'r foltedd VGS a roddir ar y MOSFET, y lleiaf fydd yr RDS(ON); i'r gwrthwyneb, yr uchaf fydd yr RDS(ON). Ar gyfer y dylunydd system, dyma lle mae'r cyfaddawdau yn dod i rym yn dibynnu ar foltedd y system. Ar gyfer dyluniadau cludadwy, mae'n haws (ac yn fwy cyffredin) defnyddio folteddau is, tra ar gyfer dyluniadau diwydiannol, gellir defnyddio folteddau uwch.

Sylwch fod y gwrthiant RDS(ON) yn codi ychydig gyda cherrynt. Mae amrywiadau ar baramedrau trydanol amrywiol y gwrthydd RDS (ON) i'w gweld yn y daflen ddata dechnegol a ddarperir gan y gwneuthurwr.

Pennu Gofynion Thermol Y cam nesaf wrth ddewis MOSFET yw cyfrifo gofynion thermol y system. Rhaid i'r dylunydd ystyried dwy sefyllfa wahanol, yr achos gwaethaf a'r gwir achos. Argymhellir defnyddio’r cyfrifiad ar gyfer y senario waethaf, gan fod y canlyniad hwn yn rhoi mwy o ymyl diogelwch ac yn sicrhau na fydd y system yn methu.

Mae yna hefyd rai mesuriadau i fod yn ymwybodol ohonynt ar yMOSFETtaflen ddata; megis yr ymwrthedd thermol rhwng cyffordd lled-ddargludyddion y ddyfais becynnu a'r amgylchedd amgylchynol, a'r tymheredd cyffordd uchaf. Mae tymheredd cyffordd y ddyfais yn hafal i'r tymheredd amgylchynol uchaf ynghyd â chynnyrch ymwrthedd thermol a gwasgariad pŵer (tymheredd cyffordd = tymheredd amgylchynol uchaf + [ymwrthedd thermol x gwasgariad pŵer]). O'r hafaliad hwn gellir datrys afradu pŵer mwyaf y system, sydd trwy ddiffiniad yn hafal i I2 x RDS(ON).

Gan fod y dylunydd wedi pennu uchafswm y cerrynt a fydd yn mynd trwy'r ddyfais, gellir cyfrifo RDS (ON) ar gyfer tymereddau gwahanol. Mae'n bwysig nodi, wrth ddelio â modelau thermol syml, bod yn rhaid i'r dylunydd hefyd ystyried cynhwysedd gwres y gyffordd / amgaead dyfais lled-ddargludyddion a'r amgaead / amgylchedd; hy, mae'n ofynnol nad yw'r bwrdd cylched printiedig a'r pecyn yn cynhesu ar unwaith.

Fel arfer, PMOSFET, bydd deuod parasitig yn bresennol, swyddogaeth y deuod yw atal y cysylltiad gwrthdroi ffynhonnell-draen, ar gyfer PMOS, y fantais dros NMOS yw y gall ei foltedd troi ymlaen fod yn 0, a'r gwahaniaeth foltedd rhwng y Nid yw foltedd DS yn llawer, tra bod y NMOS ar amod yn mynnu bod y VGS yn fwy na'r trothwy, a fydd yn arwain at y foltedd rheoli yn anochel yn fwy na'r foltedd gofynnol, a bydd trafferth diangen. Dewisir PMOS fel y switsh rheoli, mae yna ddau gais canlynol: y cais cyntaf, y PMOS i wneud y dewis foltedd, pan fydd V8V yn bodoli, yna mae'r foltedd i gyd yn cael ei ddarparu gan V8V, bydd y PMOS yn cael ei ddiffodd, y VBAT nid yw'n darparu foltedd i'r VSIN, a phan fo'r V8V yn isel, mae'r VSIN yn cael ei bweru gan 8V. Sylwch ar sylfaen R120, gwrthydd sy'n tynnu foltedd y giât i lawr yn raddol i sicrhau bod PMOS wedi'i droi ymlaen yn iawn, perygl cyflwr sy'n gysylltiedig â rhwystriant giât uchel a ddisgrifiwyd yn gynharach.

Swyddogaethau D9 a D10 yw atal foltedd wrth gefn, a gellir hepgor D9. Dylid nodi bod DS y gylched yn cael ei wrthdroi mewn gwirionedd, fel na ellir cyflawni swyddogaeth y tiwb newid trwy ddargludiad y deuod ynghlwm, y dylid ei nodi mewn cymwysiadau ymarferol. Yn y gylched hon, mae'r signal rheoli PGC yn rheoli a yw V4.2 yn cyflenwi pŵer i P_GPRS. Nid yw'r cylched hwn, y ffynhonnell a'r terfynellau draen yn gysylltiedig â'r gwrthwyneb, mae R110 a R113 yn bodoli yn yr ystyr nad yw cerrynt gât rheoli R110 yn rhy fawr, normalrwydd giât rheoli R113, R113 tynnu i fyny ar gyfer uchel, fel o PMOS, ond hefyd gellir ei weld fel tynnu i fyny ar y signal rheoli, pan fydd pinnau mewnol yr MCU a thynnu i fyny, hynny yw, allbwn y draen agored pan nad yw'r allbwn yn gyrru'r PMOS i ffwrdd, ar yr adeg hon, bydd angen foltedd allanol arno i roi'r tynnu i fyny, felly mae gwrthydd R113 yn chwarae dwy rôl. Gall r110 fod yn llai, i 100 ohms fod.