Deall egwyddor weithredol MOSFET a chymhwyso cydrannau electronig yn fwy effeithlon

Mae deall egwyddorion gweithredol MOSFETs (Transisorau Maes-Effaith Lled-ddargludyddion Metel-Ocsid) yn hanfodol ar gyfer defnyddio'r cydrannau electronig tra effeithlon hyn yn effeithiol. Mae MOSFETs yn elfennau anhepgor mewn dyfeisiau electronig, ac mae eu deall yn hanfodol i weithgynhyrchwyr.

Yn ymarferol, mae yna weithgynhyrchwyr efallai na fyddant yn gwerthfawrogi swyddogaethau penodol MOSFETs yn llawn yn ystod eu cais. Serch hynny, trwy ddeall egwyddorion gweithio MOSFETs mewn dyfeisiau electronig a'u rolau cyfatebol, gall rhywun ddewis y MOSFET mwyaf addas yn strategol, gan ystyried ei nodweddion unigryw a nodweddion penodol y cynnyrch. Mae'r dull hwn yn gwella perfformiad y cynnyrch, gan gryfhau ei gystadleurwydd yn y farchnad.

WINSOK SOT-23-3 pecyn MOSFET

MOSFET Egwyddorion Gweithio

Pan fo foltedd porth-ffynhonnell (VGS) y MOSFET yn sero, hyd yn oed gyda chymhwyso foltedd ffynhonnell draen (VDS), mae cyffordd PN bob amser mewn gogwydd gwrthdro, gan arwain at unrhyw sianel ddargludol (a dim cerrynt) rhwng draen a ffynhonnell y MOSFET. Yn y cyflwr hwn, sero yw cerrynt draen (ID) y MOSFET. Mae cymhwyso foltedd positif rhwng y giât a'r ffynhonnell (VGS> 0) yn creu maes trydan yn yr haen inswleiddio SiO2 rhwng giât y MOSFET a'r swbstrad silicon, wedi'i gyfeirio o'r giât tuag at y swbstrad silicon math P. O ystyried bod yr haen ocsid yn inswleiddio, ni all y foltedd a roddir ar y giât, VGS, gynhyrchu cerrynt yn y MOSFET. Yn lle hynny, mae'n ffurfio cynhwysydd ar draws yr haen ocsid.

Wrth i VGS gynyddu'n raddol, mae'r cynhwysydd yn codi tâl, gan greu maes trydan. Wedi'u denu gan y foltedd positif wrth y giât, mae nifer o electronau'n cronni ar ochr arall y cynhwysydd, gan ffurfio sianel ddargludol math N o'r draen i'r ffynhonnell yn y MOSFET. Pan fydd VGS yn fwy na'r foltedd trothwy VT (tua 2V fel arfer), mae sianel N y MOSFET yn dargludo, gan gychwyn llif ID cerrynt draen. Cyfeirir at y foltedd porth-ffynhonnell lle mae'r sianel yn dechrau ffurfio fel y foltedd trothwy VT. Trwy reoli maint VGS, ac o ganlyniad y maes trydan, gellir modiwleiddio maint ID cerrynt y draen yn y MOSFET.

Pecyn MOSFET WINSOK DFN5x6-8

Ceisiadau MOSFET

Mae'r MOSFET yn enwog am ei nodweddion newid rhagorol, gan arwain at ei gymhwyso'n helaeth mewn cylchedau sydd angen switshis electronig, fel cyflenwadau pŵer modd switsh. Mewn cymwysiadau foltedd isel sy'n defnyddio cyflenwad pŵer 5V, mae'r defnydd o strwythurau traddodiadol yn arwain at ostyngiad mewn foltedd ar draws allyrrydd sylfaen transistor cyffordd deubegwn (tua 0.7V), gan adael dim ond 4.3V ar gyfer y foltedd terfynol a roddir i giât y y MOSFET. Mewn sefyllfaoedd o'r fath, mae dewis MOSFET gyda foltedd adwy enwol o 4.5V yn cyflwyno rhai risgiau. Mae'r her hon hefyd yn amlwg mewn cymwysiadau sy'n ymwneud â 3V neu gyflenwadau pŵer foltedd isel eraill.