Beth yw achosion gwres ym MOSFET gwrthdröydd?

Mae'r gwrthdröyddMOSFETaugweithredu mewn cyflwr switsio ac mae'r cerrynt sy'n llifo trwy'r tiwbiau yn uchel iawn. Os na chaiff y tiwb ei ddewis yn iawn, nid yw'r osgled foltedd gyrru yn ddigon mawr neu os nad yw'r afradu gwres cylched yn dda, gall achosi i'r MOSFET gynhesu.

1, gwrthdröydd MOSFET gwresogi yn ddifrifol, dylai roi sylw i ddewis MOSFET

Mae MOSFET yn y gwrthdröydd yn y cyflwr newid, yn gyffredinol yn gofyn am ei gerrynt draen mor fawr â phosibl, ar-ymwrthedd mor fach â phosibl, a all leihau'r gostyngiad mewn foltedd dirlawnder y tiwb, a thrwy hynny leihau'r tiwb ers y defnydd, lleihau'r gwres.

Gwiriwch y llawlyfr MOSFET, fe welwn po uchaf yw gwerth gwrthsefyll foltedd y MOSFET, y mwyaf yw ei wrthiant, a'r rhai sydd â cherrynt draen uchel a gwerth foltedd gwrthsefyll isel y tiwb, mae ei wrthiant yn gyffredinol yn is na degau o miliohms.

Gan dybio bod cerrynt llwyth o 5A, rydyn ni'n dewis y gwrthdröydd a ddefnyddir yn gyffredin MOSFET RU75N08R a gall foltedd wrthsefyll gwerth 500V 840 fod, mae eu cerrynt draen yn 5A neu fwy, ond mae gwrth-wrthiant y ddau diwb yn wahanol, gyrrwch yr un cerrynt , mae eu gwahaniaeth gwres yn fawr iawn. Dim ond 0.008Ω yw ar-ymwrthedd 75N08R, tra bod ar-ymwrthedd y 840 yn 0.85Ω, pan fydd y cerrynt llwyth sy'n llifo drwy'r tiwb yn 5A, dim ond 0.04V yw gostyngiad foltedd tiwb 75N08R, ar yr adeg hon, y defnydd tiwb MOSFET yw dim ond 0.2W, tra gall y gostyngiad foltedd tiwb 840 fod hyd at 4.25W, y mae defnydd tiwb mor uchel â 21.25W. O hyn, gellir gweld, y lleiaf yw gwrth-wrthiant MOSFET y gwrthdröydd, y gorau, mae gwrthiant y tiwb yn fawr, y defnydd o tiwb o dan gerrynt uchel Mae ar-ymwrthedd MOSFET y gwrthdröydd mor fach ag y bo modd.

2, nid yw cylched gyrru'r amplitude foltedd gyrru yn ddigon mawr

Dyfais rheoli foltedd yw MOSFET, os ydych chi am leihau'r defnydd o tiwb, lleihau gwres,MOSFETdylai osgled foltedd gyriant giât fod yn ddigon mawr i yrru ymyl pwls i fod yn serth ac yn syth, gallwch leihau'r gostyngiad mewn foltedd tiwb, lleihau'r defnydd o tiwb.

3, nid yw afradu gwres MOSFET yn achos da

GwrthdröyddMOSFETgwresogi yn ddifrifol. Gan fod y defnydd o ynni MOSFET gwrthdröydd yn fawr, mae'r gwaith yn gyffredinol yn gofyn am ardal allanol ddigon mawr o'r heatsink, a dylai'r heatsink allanol a'r MOSFET ei hun rhwng y heatsink fod mewn cysylltiad agos â (yn gyffredinol mae'n ofynnol ei orchuddio â saim silicon dargludol thermol). ), os yw'r heatsink allanol yn llai, neu os nad yw'r cysylltiad â heatsink y MOSFET ei hun yn ddigon agos, gall arwain at wresogi tiwb.

Gwrthdröydd MOSFET gwresogi difrifol mae pedwar rheswm dros y crynodeb.

Mae gwresogi bach MOSFET yn ffenomen arferol, ond mae gwresogi difrifol, hyd yn oed yn arwain at losgi'r tiwb, mae pedwar rheswm canlynol:

1, y broblem o ddylunio cylched

Gadewch i'r MOSFET weithio mewn cyflwr gweithredu llinol, yn hytrach nag yn y cyflwr cylched switsio. Mae hefyd yn un o achosion gwresogi MOSFET. Os yw'r N-MOS yn gwneud y newid, mae'n rhaid i'r foltedd lefel G fod ychydig V yn uwch na'r cyflenwad pŵer i fod ymlaen yn llawn, tra bod y P-MOS i'r gwrthwyneb. Ddim yn gwbl agored ac mae'r gostyngiad foltedd yn rhy fawr gan arwain at ddefnydd pŵer, mae'r rhwystriant DC cyfatebol yn fwy, mae'r gostyngiad foltedd yn cynyddu, felly mae U * I hefyd yn cynyddu, mae'r golled yn golygu gwres. Dyma'r gwall sydd wedi'i osgoi fwyaf yn nyluniad y gylched.

2, amlder rhy uchel

Y prif reswm yw bod weithiau'r mynd ar drywydd gormodol o gyfaint, gan arwain at fwy o amlder, colledion MOSFET ar y mawr, felly mae'r gwres hefyd yn cynyddu.

3, dim digon o ddyluniad thermol

Os yw'r cerrynt yn rhy uchel, mae gwerth cyfredol enwol y MOSFET, fel arfer yn gofyn am afradu gwres da i'w gyflawni. Felly mae'r ID yn llai na'r uchafswm presennol, efallai y bydd hefyd yn gwresogi'n wael, angen digon o sinc gwres ategol.

4, dewis MOSFET yn anghywir

Dyfarniad anghywir o bŵer, nid yw ymwrthedd mewnol MOSFET yn cael ei ystyried yn llawn, gan arwain at fwy o rwystr newid.