Beth yw achosion gwresogi MOSFET gwrthdröydd?

Mae MOSFET y gwrthdröydd yn gweithredu mewn cyflwr newid ac mae'r cerrynt sy'n llifo trwy'r MOSFET yn uchel iawn. Os na chaiff y MOSFET ei ddewis yn iawn, nid yw'r osgled foltedd gyrru yn ddigon mawr neu os nad yw'r afradu gwres cylched yn dda, gall achosi i'r MOSFET gynhesu.

1, gwrthdröydd MOSFET gwresogi yn ddifrifol, dylai roi sylw i'rMOSFETdethol

Mae MOSFET yn y gwrthdröydd yn y cyflwr newid, yn gyffredinol yn gofyn am ei gerrynt draen mor fawr â phosibl, ar-ymwrthedd mor fach â phosibl, fel y gallwch leihau gostyngiad mewn foltedd dirlawnder y MOSFET, a thrwy hynny leihau'r MOSFET ers y defnydd, lleihau'r gwres.

Gwiriwch y llawlyfr MOSFET, fe welwn po uchaf yw gwerth gwrthsefyll foltedd y MOSFET, y mwyaf yw ei wrthiant, a'r rhai sydd â cherrynt draen uchel, gwerth foltedd gwrthsefyll isel y MOSFET, mae ei wrthiant yn gyffredinol yn is na degau o miliohms.

Gan dybio y gall y cerrynt llwyth o 5A, rydym yn dewis y gwrthdröydd a ddefnyddir yn gyffredin MOSFETRU75N08R a gwrthsefyll gwerth foltedd o 500V 840 fod, mae eu cerrynt draen yn 5A neu fwy, ond mae gwrth-wrthiant y ddau MOSFETs yn wahanol, yn gyrru'r un cerrynt , mae eu gwahaniaeth gwres yn fawr iawn. Dim ond 0.008Ω yw ar-ymwrthedd 75N08R, tra bod yr ar-ymwrthedd o 840 Dim ond 0.008Ω yw'r ar-ymwrthedd o 75N08R, tra bod yr ar-ymwrthedd o 840 yn 0.85Ω. Pan fo'r cerrynt llwyth sy'n llifo trwy'r MOSFET yn 5A, dim ond 0.04V yw'r gostyngiad foltedd o MOSFET 75N08R, a dim ond 0.2W yw'r defnydd MOSFET o MOSFET, tra gall gostyngiad foltedd MOSFET 840 fod hyd at 4.25W, a'r defnydd o MOSFET mor uchel â 21.25W. O hyn, gellir gweld bod gwrth-wrthiant MOSFET yn wahanol i wrthiant 75N08R, ac mae eu cynhyrchu gwres yn wahanol iawn. Po leiaf yw gwrth-ymwrthedd y MOSFET, y gorau, y gwrth-ymwrthedd y MOSFET, y tiwb MOSFET o dan defnydd presennol uchel yn eithaf mawr.

2, nid yw cylched gyrru'r amplitude foltedd gyrru yn ddigon mawr

MOSFET yn ddyfais rheoli foltedd, os ydych am leihau'r defnydd MOSFET tiwb, lleihau gwres, MOSFET giât yrru osgled foltedd ddylai fod yn ddigon mawr, gyrru ymyl pwls i serth, gall leihau'rMOSFETgostyngiad foltedd tiwb, lleihau'r defnydd o tiwb MOSFET.

3, nid yw afradu gwres MOSFET yn achos da

Mae gwresogi MOSFET gwrthdröydd yn ddifrifol. Gan fod defnydd tiwb MOSFET y gwrthdröydd yn fawr, mae'r gwaith yn gyffredinol yn gofyn am ardal allanol ddigon mawr o'r sinc gwres, a dylai'r sinc gwres allanol a'r MOSFET ei hun rhwng y sinc gwres fod mewn cysylltiad agos (yn gyffredinol mae'n ofynnol ei orchuddio â dargludol thermol saim silicon), os yw'r sinc gwres allanol yn llai, neu nad yw'r MOSFET ei hun yn ddigon agos at gyswllt y sinc gwres, gall arwain at wresogi MOSFET.

Gwrthdröydd MOSFET gwresogi difrifol mae pedwar rheswm dros y crynodeb.

Mae gwresogi bach MOSFET yn ffenomen arferol, ond mae'r gwres yn ddifrifol, a hyd yn oed yn arwain at losgi'r MOSFET, mae pedwar rheswm dros y canlynol:

1, y broblem o ddylunio cylched

Gadewch i'r MOSFET weithio mewn cyflwr gweithredu llinol, yn hytrach nag yn y cyflwr cylched switsio. Mae hefyd yn un o achosion gwresogi MOSFET. Os yw'r N-MOS yn gwneud y newid, mae'n rhaid i'r foltedd lefel G fod ychydig V yn uwch na'r cyflenwad pŵer i fod ymlaen yn llawn, tra bod y P-MOS i'r gwrthwyneb. Ddim yn gwbl agored ac mae'r gostyngiad foltedd yn rhy fawr gan arwain at ddefnydd pŵer, mae'r rhwystriant DC cyfatebol yn fwy, mae'r gostyngiad foltedd yn cynyddu, felly mae U * I hefyd yn cynyddu, mae'r golled yn golygu gwres. Dyma'r gwall sydd wedi'i osgoi fwyaf yn nyluniad y gylched.

2, amlder rhy uchel

Y prif reswm yw bod weithiau mynd ar drywydd gormodol o gyfaint, gan arwain at fwy o amlder,MOSFETcolledion ar y mawr, felly mae'r gwres hefyd yn cynyddu.

3, dim digon o ddyluniad thermol

Os yw'r cerrynt yn rhy uchel, mae gwerth cyfredol enwol y MOSFET, fel arfer yn gofyn am afradu gwres da i'w gyflawni. Felly mae'r ID yn llai na'r uchafswm presennol, efallai y bydd hefyd yn gwresogi'n wael, angen digon o sinc gwres ategol.

4, dewis MOSFET yn anghywir

Dyfarniad anghywir o bŵer, nid yw ymwrthedd mewnol MOSFET yn cael ei ystyried yn llawn, gan arwain at fwy o rwystr newid.