Beth yw pedwar rhanbarth MOSFET?

Pedwar rhanbarth MOSFET gwella sianel N

(1) Rhanbarth gwrthiant newidiol (a elwir hefyd yn rhanbarth annirlawn)

Ucs" Ucs(th) (foltedd troi ymlaen), uDs" UGs-Ucs (th), yw'r rhanbarth i'r chwith o'r olin wedi'i ragclapio yn y ffigur lle mae'r sianel wedi'i throi ymlaen. Mae gwerth UDs yn fach yn y rhanbarth hwn, a dim ond UGs sy'n rheoli ymwrthedd y sianel yn y bôn. Pan fydd uGs yn sicr, mae ip ac uDs yn berthynas llinol, brasamcanir y rhanbarth fel set o linellau syth. Ar yr adeg hon, mae'r tiwb effaith maes D, S rhwng yr hyn sy'n cyfateb i UGS foltedd

Wedi'i reoli gan ymwrthedd newidiol foltedd UGS.

(2) rhanbarth cyfredol cyson (a elwir hefyd yn rhanbarth dirlawnder, rhanbarth ymhelaethu, rhanbarth gweithredol)

Ucs ≥ Ucs (h) ac Ubs ≥ UcsUssth), ar gyfer y ffigur o ochr dde'r rhag-pinsio oddi ar y trac, ond heb ei dorri i lawr eto yn y rhanbarth, yn y rhanbarth, pan fydd yn rhaid i'r uGs fod, nid yw ib bron yn newid gyda'r UDs, yn nodweddion cyfredol-cyson. i yn cael ei reoli gan yr UGs yn unig, yna mae'r MOSFETD, S yn cyfateb i reolaeth ugs foltedd o'r ffynhonnell gyfredol. Defnyddir MOSFET mewn cylchedau ymhelaethu, yn gyffredinol ar waith y MOSFET D, mae S yn cyfateb i ffynhonnell gyfredol rheoli uGs foltedd. MOSFET a ddefnyddir mewn cylchedau ymhelaethu, yn gyffredinol yn gweithio yn y rhanbarth, felly adwaenir hefyd fel yr ardal ymhelaethu.

(3) Ardal clipio (a elwir hefyd yn ardal dorri i ffwrdd)

Ardal clip-off (a elwir hefyd yn ardal dorri i ffwrdd) i gwrdd â'r ucs "Ues (th) ar gyfer y ffigur ger echel lorweddol y rhanbarth, mae'r sianel i gyd wedi'i glampio i ffwrdd, a elwir yn y clip llawn i ffwrdd, io = 0 , nid yw'r tiwb yn gweithio.

(4) lleoliad parth dadansoddiad

Mae'r rhanbarth dadansoddi wedi'i leoli yn y rhanbarth ar ochr dde'r ffigur. Gyda'r UDs cynyddol, mae cyffordd PN yn destun gormod o foltedd gwrthdroi a dadansoddiad, mae ip yn cynyddu'n sydyn. Dylid gweithredu'r tiwb er mwyn osgoi gweithredu yn y rhanbarth chwalu. Gall y gromlin nodwedd drosglwyddo ddeillio o'r gromlin nodwedd allbwn. Ar y dull a ddefnyddir fel graff i ddarganfod. Er enghraifft, yn Ffigur 3 (a) ar gyfer llinell fertigol Ubs = 6V, ei groesffordd â'r cromliniau amrywiol sy'n cyfateb i'r gwerthoedd i, Us yn y cyfesurynnau ib- Uss sy'n gysylltiedig â'r gromlin, hynny yw, i gael y gromlin nodwedd drosglwyddo.

Paramedrau oMOSFET

Mae yna lawer o baramedrau MOSFET, gan gynnwys paramedrau DC, paramedrau AC a pharamedrau terfyn, ond dim ond y prif baramedrau canlynol y mae angen eu pryderu mewn defnydd cyffredin: dirlawn draen-ffynhonnell gyfredol foltedd pinsio i ffwrdd IDSS Up, (tiwbiau math cyffordd a disbyddiad -math tiwbiau gât wedi'u hinswleiddio, neu foltedd troi ymlaen UT (tiwbiau gât wedi'u hinswleiddio wedi'u hatgyfnerthu), gm traws-ddargludiad, foltedd dadansoddi ffynhonnell gollyngiadau BUDS, uchafswm pŵer a wasgarwyd PDSM, ac IDSM cerrynt ffynhonnell draen uchaf .

(1) Cerrynt draen dirlawn

Y cerrynt draen dirlawn IDSS yw'r cerrynt draen mewn gât wedi'i inswleiddio'n gyffordd neu'n disbyddu MOSFET pan fo foltedd y giât UGS = 0.

(2) Clip-oddi ar foltedd

Y foltedd pinsio i ffwrdd UP yw'r foltedd giât mewn MOSFET gât wedi'i inswleiddio o fath cyffordd neu fath disbyddiad sy'n torri i ffwrdd rhwng y draen a'r ffynhonnell. Fel y dangosir yn 4-25 ar gyfer y tiwb sianel N UGS cromlin ID, gellir deall i weld arwyddocâd IDSS a UP

MOSFET pedwar rhanbarth

(3) Trowch ymlaen foltedd

Y foltedd troi ymlaen UT yw'r foltedd giât mewn MOSFET giât wedi'i inswleiddio wedi'i atgyfnerthu sy'n gwneud y ffynhonnell rhyng-draen yn ddargludol yn unig.

(4) Trawsgludiad

Gm transconductance yw gallu rheoli'r foltedd ffynhonnell giât UGS ar yr ID cerrynt draen, hy, cymhareb y newid yn y ID cerrynt draen i'r newid yn y foltedd ffynhonnell giât UGS. Mae 9m yn baramedr pwysig sy'n pwyso'r gallu ymhelaethu ar yMOSFET.

(5) Draeniwch ffynhonnell foltedd chwalu

Mae foltedd chwalu ffynhonnell draen BUDS yn cyfeirio at foltedd ffynhonnell y giât UGS penodol, gall gweithrediad arferol MOSFET dderbyn y foltedd ffynhonnell draen uchaf. Mae hwn yn baramedr terfyn, wedi'i ychwanegu at y foltedd gweithredu MOSFET rhaid iddo fod yn llai na BUDS.

(6) Uchafswm Pŵer Dissipation

Uchafswm pŵer dissipation PDSM hefyd yn baramedr terfyn, yn cyfeirio at yMOSFETnid yw perfformiad yn dirywio pan fydd y ffynhonnell gollyngiadau uchafswm a ganiateir afradu pŵer. Wrth ddefnyddio'r MOSFET dylai defnydd pŵer ymarferol fod yn llai na'r PDSM a gadael ymyl penodol.

(7) Uchafswm Draen Cyfredol

Mae'r uchafswm gollyngiadau cyfredol IDSM yn baramedr terfyn arall, yn cyfeirio at weithrediad arferol y MOSFET, ni ddylai ffynhonnell gollyngiad y cerrynt mwyaf y caniateir iddo basio trwy gerrynt gweithredu MOSFET fod yn fwy na'r IDSM.

MOSFET Egwyddor Weithredol

Egwyddor weithredol MOSFET (MOSFET gwella sianel N) yw defnyddio VGS i reoli faint o "dâl anwythol", er mwyn newid cyflwr y sianel dargludol a ffurfiwyd gan y "tâl anwythol" hyn, ac yna i gyflawni'r pwrpas o reoli'r cerrynt draen. Y pwrpas yw rheoli'r cerrynt draen. Wrth gynhyrchu tiwbiau, trwy'r broses o wneud nifer fawr o ïonau positif yn yr haen inswleiddio, felly yn ochr arall y rhyngwyneb gellir achosi mwy o daliadau negyddol, gellir achosi'r taliadau negyddol hyn.

Pan fydd foltedd y giât yn newid, mae maint y tâl a achosir yn y sianel hefyd yn newid, mae lled y sianel dargludol hefyd yn newid, ac felly mae ID cerrynt y draen yn newid gyda foltedd y giât.

rôl MOSFET

I. Gellir cymhwyso MOSFET at ymhelaethu. Oherwydd rhwystriant mewnbwn uchel y mwyhadur MOSFET, gall y cynhwysydd cyplu fod yn llai o gapasiti, heb ddefnyddio cynwysyddion electrolytig.

Yn ail, mae rhwystriant mewnbwn uchel MOSFET yn addas iawn ar gyfer trosi rhwystriant. Defnyddir yn gyffredin mewn cam mewnbwn mwyhadur aml-gam ar gyfer trosi rhwystriant.

Gellir defnyddio MOSFET fel gwrthydd newidiol.

Yn bedwerydd, gellir defnyddio MOSFET yn hawdd fel ffynhonnell gyfredol gyson.

Yn bumed, gellir defnyddio MOSFET fel switsh electronig.